サファイア基板上へのモスアイ構造の形成方法の検討およびLEDへの応用(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
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概要
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LEDおいて高い光取り出し効率が期待されるモスアイ加工サファイア基板(Moth-eye patterned sapphire substrate;MPSS)を作製するため、サファイアに対して高いエッチング選択比を得るためのドライエッチング工程の検討を実施した。また、結晶成長に適したコーン形状に制御可能なドライエッチング条件の検討を行った。さらに周期を460nmに固定し、コーンの高さを250nm、300nm、350nmとしたMPSSを作製し、MPSS上の青色LEDの光取り出し効率の比較を行った。コーン高さによる光取り出し効率の依存性はほとんど見られず、いずれも未加工のサファイア基板と比較して約1.4倍に向上することがわかった。
- 2012-11-22
著者
-
岩谷 素顕
名城大学理工学研究科
-
上山 智
名城大学理工学研究科
-
赤崎 勇
名城大学理工学研究科
-
竹内 哲也
名城大理工
-
赤崎 勇
名城大理工
-
竹内 哲也
名城大学理工学部電気電子工学科
-
岩谷 素顕
名城大理工
-
上山 智
名城大理工
-
赤★ 勇
名城大学大学院・理工学研究科:名城大学・ハイテクリサーチセンター
-
鈴木 敦志
エルシード株式会社
-
北野 司
エルシード株式会社
-
関根 均
DIC株式会社
-
土屋 貴義
名城大理工
-
梅田 慎也
名城大理工
-
曽和 美保子
名城大理工
-
近藤 俊行
エルシード株式会社
-
森 みどり
エルシード株式会社
-
難波江 宏一
エルシード株式会社
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