n-GaN表面層を有する構造内p-GaNのMgアクセプタ活性化(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

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概要

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• p-GaNでは、Mgアクセプタと水素の結合を切断し、電気的に活性化させる熱アニールが必要である。一方、n-GaN内には原子状水素が存在できないことが報告されている。このことから、n-GaN表面層を有する構造内のp-GaNでは、水素の脱離が抑制されてMgの活性化が阻害される可能性がある。本研究では、n-GaN表面層を有する構造内のp-GaNおよびトンネル接合p++-GaInNのMg活性化の検討を行った。アニール工程を含む素子形成工程の最適化を行い、電流注入による電気的特性の評価を行った。その結果、表面にn-GaNが存在すると、表面からのMg活性化が阻害され、p-GaN層が露出した側壁から横方向に活性化が進むことを新たに見出した。

• 2012-11-22

著者

• 岩谷 素顕

  名城大学理工学研究科

• 上山 智

  名城大学理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科

• 竹内 哲也

  名城大学理工学部

• 竹内 哲也

  名城大学理工学部電気電子工学科

• 赤★ 勇

  名城大学大学院・理工学研究科:名城大学・ハイテクリサーチセンター

• 加賀 充

  名城大学理工学部

• 山下 浩司

  名城大学理工学部

• 森田 隆敏

  名城大学理工学部

• 桑野 侑香

  名城大学理工学部

• 南川 大智

  名城大学理工学部

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