ドループ改善に向けた窒化物半導体np構造LEDの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

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概要

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• 窒化物半導体LEDでは、高電流注入時の発光効率低下、いわゆるドループ現象が課題となっている。我々は、このドループ現象を改善するために、従来のpn構造を逆に積層したnp構造LEDの実現を目指している。本報告では、このnp構造ではキャリアオーバーフローが抑制される様子を理論計算により示した。続いて、トンネル接合を利用したnp構造を試作した。その結果、全面発光するLEDが実現できた。一方で、従来のpn構造に比べ、駆動電圧増加および光出力低下が確認された。これは、トンネル接合での不十分なMg濃度と、活性層での不必要なMg混入が原因であり、さらなる改善によりドループ現象の抑制が期待される。

• 2012-11-22

著者

• 岩谷 素顕

  名城大学理工学研究科

• 上山 智

  名城大学理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科

• 竹内 哲也

  名城大学理工学部

• 竹内 哲也

  名城大学理工学部電気電子工学科

• 赤★ 勇

  名城大学大学院・理工学研究科:名城大学・ハイテクリサーチセンター

• 加賀 充

  名城大学理工学部

• 森田 隆敏

  名城大学理工学部

• 桑野 侑香

  名城大学理工学部

• 松井 健城

  名城大学理工学部

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