反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善 (シリコン材料・デバイス)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2011-05-19

著者

• 永田 賢吾

  名城大・理工

関連論文

• UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• β-Ga2O3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長 (電子部品・材料)
• β-Ga2O3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長 (電子デバイス)
• 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善 (シリコン材料・デバイス)
• β-Ga2O3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長 (シリコン材料・デバイス)
• 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善 (電子部品・材料)
• 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善 (電子デバイス)
• 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• β-Ga_2O_3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• β-Ga_2O_3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• β-Ga_2O_3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• β-Ga_2O_3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク