InP基板上長波長帯面発光レーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
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概要
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有機金属気相成長(MOCVD)法により,InP基板上に長波長帯面発光レーザを製作した.デバイスは,モノリシックに成長されたAIGaInAs/InP半導体多層膜反射鏡(DBR),AIGaInAs量子井戸,埋め込みトンネル接合構造からなっている1.55μm帯面発光レーザにおいて1mW以上の単一モード出力と,世界最高値となる58%外部量子効率を達成した.90℃までの発振を確認しており,またback-to-backで12Gbit/sまで,100km長の負の分散を持つファイバと半導体増幅器を通し10Gbit/sのエラーフリー伝送を達成した.ほぼ同一の構造において1.3μm帯の面発光レーザも実現した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-12-13
著者
-
西山 伸彦
Corning Incorporated
-
西山 伸彦
東京工業大学大学院理工学研究科
-
石 鍾恩
Corning Incorporated
-
胡 海
Corning Incorporated
-
Caneau C.
Corning Incorporated
-
Tsuda S.
Corning Incorporated
-
〓 〓〓
Corning Incorporated
-
Guryanov G.
Corning Incorporated
-
Bhat R.
Corning Incorporated
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