InGaAs/InAlAs二重結合量子井戸を用いた小型・低電圧電気光学位相変調器(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
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概要
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小型・低駆動電圧の光位相変調器を実現するため、活性層にInGaAs/InAlAs二重結合量子井戸を用いた光位相変調器をMOCVDにより試作した。長さ850μmの素子に対してファブリー・ペロー法による静特性の測定を行った結果、バイアスを+0.5Vから-0.5Vに変化させた際、波長1580nmのTEモード光に対し、強度変調を伴わない75°/V/mmの位相変調効果が観刺された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-06-23
著者
-
中野 義昭
東京大学 先端科学技術研究センタ
-
雨宮 智宏
東京大学先端科学技術研究センター
-
清水 大雅
東京農工大学 工学府 電気電子工学専攻
-
大江 英輝
東京大学 先端科学技術研究センター
-
雨宮 智宏
東京大学 先端科学技術研究センター
-
清水 大雅
東京大学 先端科学技術研究センター
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