IV族, V族の電子構造と結晶構造
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概要
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IV族半導体, V族半金属はその特徴ある結晶構造とバンド構造のために物性屋の好個の研究対象となってきた. とくにV族半金属の特異な結晶構造は早くから物性理論家の注目をひき, Mott-Jones以来幾人かの人がその電子構造と結晶構造との関係をなかば現象論的に論じている. またIV, V族結晶のバンド構造は, パラメター・フィッティングの経験的ポテンシャルの立場で詳しく調べられている. これらの現状を紹介し, さらに一歩進んで, 原子データに基づいたトップ・ホップフィールド型のポテンシャルを用いて, これら結晶の凝集機構とバンド構造とがどこまで統一的に取り扱えるかを明らかにする.
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1978-10-05
著者
-
奈良 久
東北大学情報処理教育センター
-
進藤 浩一
岩手大・人文社会
-
森田 章
岩手大工
-
森田 章
東北大学理学部物理学科
-
奈良 久
東北大教養
-
奈良 久
東北大学教養部物理学教室
-
進藤 浩一
東北大学理学部物理学教室
-
森田 章
東北大学理学部
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