3p-NGH-4 グラファイト層間化合物における、圧力によるステージング相転移の理論

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1981-09-14

著者

• 森田 章

  東北大理

• 岡部 豊

  都立大院理

• 三谷 尚

  東北大・理

• 三谷 尚

  東北大.理

• 岡部 豊

  東北大.理

• 森田 章

  東北大.理

• 森田 章

  東北大学理学部

関連論文

• 13a-N-16 黒リンのX線K-吸収スペクトルとK_β-価電子発輝帯
• 2p-NL-18 単結晶黒リンの比熱
• 5a-A-16 高温超伝導体の軟X線分光
• 27p-PS-7 LnBa_2Cu_3O_(Ln=Y, Sm)のUPS, XPS, SOR光電子分光
• 28a-D-19 高温超伝導体YBa_2Cu_3Oの共鳴光電子分光
• 半導体国際会議 (1966) の報告
• 5a-D-10 黒リンの格子振動 : Bond Charge Modelによる計算
• 3p-KG-4 黒リンの電子-格子相互作用(移動度の異方性)
• 13a-NS19 黒リンの電子 : 格子相互作用II(移動度の異方性)
• 27a-N-5 黒リンの格子振動
• 3a-A-4 黒リンの格子振動
• 黒リンの電子構造と物性について(計算機による固体相転移の研究,科研費研究会報告)
• 31p-E-12 黒リンの格子振動III
• 2p-NL-19 黒リンの格子振動 II
• 30a-S-1 黒リンの格子振動
• 3p-WB-18 高ステージアルカリ金属GICのCOMMENSURATE相
• H. Kamimura and Y. Toyozawa 編: Symposium on Recent Topics in Semiconductor Physics; In Commemoration of the 60th Birthday of Professor Yasutada Uemura, 1982, World Sceientific, Singapore, 1983, xii+272ページ, 22.5×14.5cm.
• 黒燐の電子構造(化学結合と電子構造,低次元性無機化合物の相転移と化学結合,科研費研究会報告)
• 固体電子状態の研究への計算機の利用(物性研究と計算物理,研究会報告)
• 13a-N-18 黒リンの電子 : 格子相互作用I(ε_0とε_∞)
• 13a-N-9 黒リンの比熱と音速
• 29a-N-1 黒リンの物性 1 : Introductory talk
• 3a-A-7 黒リンの反射率
• グラファイト層間化合物における層間電子分布と物性(インターカレーションの機構と物性(第1回),科研費研究会報告)
• 3p-NL-1 高ステージ・グラファイト層間化合物の電子構造1.電荷移動とバンド構造
• 3p-NGH-4 グラファイト層間化合物における、圧力によるステージング相転移の理論
• 7. BaOの電子構造 (第二報)
• 6. F-中心に對する一つの模型 (第一報)
• 6.BaOの電子構造に就いて(第一報) (第3回 仙臺支部例會)
• 4p-G-1 Chemical Splitting of the ground states of Li-donor in Si
• Si結晶中の浅いドナーレベのケミカルシフト : 半導体(レゾナンス)
• 13p-K-3 捕獲凖位の有効貭量方程式
• 2p-P-12 金属の軟X練発輝スペクトルII
• 2p-P-11 金属の軟X練発輝スペクトルI
• 低温におけるn-Geの熱伝導度(半導体(電流,磁気,歪))
• 16C1. イオン結晶に於ける傳導電子の格子波による散乱
• 5a-D-7 黒リンのバンド構造(圧力効果)III
• 3p-KG-5 黒リンのバンド構造(圧力効果)II
• 13a-N-17 黒リンのバンド構造(圧力効果)
• 28a-E-1 黒リン(半導体)のエネルギーバンド構造 II
• 4p-M-23 V族半金属のMott-Jonesモデル
• 4p-M-21 Asの原子エネルギー準位と結晶構造
• 11a-U-4 Si及びGe中の格子間原子の移動energyの計算
• 3a-BJ-3 IV-VI族化合物の電子構造
• 4p-M-24 族半導体の凝集機構の理論II
• 4p-M-22 族半導体の凝集機構の理論I
• 3p-KL-7 Si・Geの格子振動とGriineisen定数
• 13 黒燐についての最近の研究(凝縮系種々相の最近の展望,科研費研究会報告)
• 31p-K-12 高ステージ・グラファイト層間化合物の電子構造 II
• 4a-B-16 高ステージ・グラファイト層間化合物の電子構造
• 2p-B-15 IV-VI族化合物におけるバンド構造と電気抵抗
• 31a GD-3 IV-VI族化合物の強磁場下での電気抵抗異常の理論
• 31p-CA-3 SmTe のバンド間電子・格子相互作用による電気抵抗異常
• 28a-E-2 黒リン(半導体)のエネルギーバンド構造 I
• A.ゾンマーフェルド, H.ベーテ著, 井上 正訳 : 固体電子論, 東海大学出版会, 東京, viii+409ページ, 21.5+15.5cm, 3,800円
• 5a-U-2 擬ポテンシャル展開法によるAsの結晶構造の研究II
• 5a-U-1 擬ポテンシャル展開法によるAsの結晶構造の研究I
• 11p-W-12 半金属(V族.IV-VI族)の結晶構造の安定性(II)
• 3p-KL-6 半金属(V族,IV-VI族)の結晶構造の安定性(I)
• 松原武生編 : 物性I; 物質の構造と性質, 岩波書店, 東京, 1973, xi+345ページ, 21.5×15.5cm, 1,400円 (岩波講座, 現代物理学の基礎7).
• 4a-K-9 金属水素の理論 : 圧力融解
• 10a-H-3 高圧下のSi,GeおよびSnの半導体 : 金属相転移の理論
• 2a-P-7 空格子点生成エネルギーのモデル計算
• 1p-F-16 Si,Geの格子振動の凝ポテンシャルによる計算
• 7p-E-9 Si,Ge中の原子空孔の形成 : 移動energyの計算 II
• 7a-E-5 SiGeの中の原子空孔の形成エネルギーの計算
• 4p-N-7 共有結合結晶の凝集エネルギーの摂動理論
• 金属の軟X線の放射と吸収 : 金属シンポジウム : 最近の金属物性の進歩に関する展望
• 軽金属L-準位巾の計算 : X線粒子線
• 金属結晶の光学的性質(SOR分光学とStorage Ringの研究会,基研研究会報告)
• 固体電子論 (昭和41年度における各専門分野研究活動の展望)
• 感想3(東京夏の学校に参加して)
• 二次元グラファイト結晶のWannier函数 : 半導体(半金属)
• ハロゲン化銅のスピン軌道相互作用 : イオン結晶・光物性
• 極低温におけるPbTeの電子易動度(半導体(マイクロ波))
• 8a-D-5 アルカリ・ハライド結晶の吸収端構造
• 7p-A-1 Si,Geの正孔のサイクロトロン共鳴
• 磁場があるときの固体電子の運動 II : 半導体
• 磁場があるときの固体電子の運動 I : 半導体
• 固体電子論
• 13p-K-2 絶縁体の誘電的性貭
• 13p-K-1 絶縁体の集団励起状態
• Effective Mass Equationと電媒定数 : 半導体
• 絶縁体の励起状態 : 半導体
• 18F-4 ダイアモンド型同極性結晶の反磁性
• 18F-3 ダイアモンド型同極性結晶の凝集エネルギーとそのバンド構造
• 10B3 凝集エネルギー理論の改良
• 6A9 Si,Geのlattice susceptibilityについて
• 6A5 遷移金属化合物の一模型
• 固体電子論
• 16G-17 凝集エネルギー理論・改良について
• 16A-1 Chesterのヘリウムの理論に関するノート
• 凝集エネルギーの理論の改良 III : イオン結晶(理論)
• 凝集エネルギーの理論の改良について.II : イオン結晶(理論)
• 有極性半導体の電子易動度
• 31E1 (招待講演)イオン結晶遲速電子の格子波による散乱
• 2. イオン結晶に於ける絶縁破壞について
• 9. 入射電子によるイオン結晶勵起に就て
• 3a GE-8 Sbの結晶構造の安定性と圧力依存性
• 3.II.10 Phononと第二音波について(低温)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク