金属結晶の光学的性質(SOR分光学とStorage Ringの研究会,基研研究会報告)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
この論文は国立情報学研究所の電子図書館事業により電子化されました。
- 物性研究刊行会の論文
- 1968-05-20
著者
関連論文
- 13a-N-16 黒リンのX線K-吸収スペクトルとK_β-価電子発輝帯
- 2p-NL-18 単結晶黒リンの比熱
- 半導体国際会議 (1966) の報告
- 5a-D-10 黒リンの格子振動 : Bond Charge Modelによる計算
- 3p-KG-4 黒リンの電子-格子相互作用(移動度の異方性)
- 13a-NS19 黒リンの電子 : 格子相互作用II(移動度の異方性)
- 27a-N-5 黒リンの格子振動
- 3a-A-4 黒リンの格子振動
- 黒リンの電子構造と物性について(計算機による固体相転移の研究,科研費研究会報告)
- 31p-E-12 黒リンの格子振動III
- 2p-NL-19 黒リンの格子振動 II
- 30a-S-1 黒リンの格子振動
- 3p-WB-18 高ステージアルカリ金属GICのCOMMENSURATE相
- H. Kamimura and Y. Toyozawa 編: Symposium on Recent Topics in Semiconductor Physics; In Commemoration of the 60th Birthday of Professor Yasutada Uemura, 1982, World Sceientific, Singapore, 1983, xii+272ページ, 22.5×14.5cm.
- 黒燐の電子構造(化学結合と電子構造,低次元性無機化合物の相転移と化学結合,科研費研究会報告)
- 固体電子状態の研究への計算機の利用(物性研究と計算物理,研究会報告)
- 13a-N-18 黒リンの電子 : 格子相互作用I(ε_0とε_∞)
- 13a-N-9 黒リンの比熱と音速
- 29a-N-1 黒リンの物性 1 : Introductory talk
- 3a-A-7 黒リンの反射率
- グラファイト層間化合物における層間電子分布と物性(インターカレーションの機構と物性(第1回),科研費研究会報告)
- 3p-NL-1 高ステージ・グラファイト層間化合物の電子構造1.電荷移動とバンド構造
- 3p-NGH-4 グラファイト層間化合物における、圧力によるステージング相転移の理論
- 7. BaOの電子構造 (第二報)
- 6. F-中心に對する一つの模型 (第一報)
- IV族, V族の電子構造と結晶構造
- 6.BaOの電子構造に就いて(第一報) (第3回 仙臺支部例會)
- 4p-G-1 Chemical Splitting of the ground states of Li-donor in Si
- Si結晶中の浅いドナーレベのケミカルシフト : 半導体(レゾナンス)
- 13p-K-3 捕獲凖位の有効貭量方程式
- 2p-P-12 金属の軟X練発輝スペクトルII
- 2p-P-11 金属の軟X練発輝スペクトルI
- 低温におけるn-Geの熱伝導度(半導体(電流,磁気,歪))
- 16C1. イオン結晶に於ける傳導電子の格子波による散乱
- 5a-D-7 黒リンのバンド構造(圧力効果)III
- 3p-KG-5 黒リンのバンド構造(圧力効果)II
- 13a-N-17 黒リンのバンド構造(圧力効果)
- 28a-E-1 黒リン(半導体)のエネルギーバンド構造 II
- 4p-M-23 V族半金属のMott-Jonesモデル
- 4p-M-21 Asの原子エネルギー準位と結晶構造
- 11a-U-4 Si及びGe中の格子間原子の移動energyの計算
- 3a-BJ-3 IV-VI族化合物の電子構造
- 4p-M-24 族半導体の凝集機構の理論II
- 4p-M-22 族半導体の凝集機構の理論I
- 3p-KL-7 Si・Geの格子振動とGriineisen定数
- 13 黒燐についての最近の研究(凝縮系種々相の最近の展望,科研費研究会報告)
- 31p-K-12 高ステージ・グラファイト層間化合物の電子構造 II
- 4a-B-16 高ステージ・グラファイト層間化合物の電子構造
- 2p-B-15 IV-VI族化合物におけるバンド構造と電気抵抗
- 31a GD-3 IV-VI族化合物の強磁場下での電気抵抗異常の理論
- 31p-CA-3 SmTe のバンド間電子・格子相互作用による電気抵抗異常
- 28a-E-2 黒リン(半導体)のエネルギーバンド構造 I
- A.ゾンマーフェルド, H.ベーテ著, 井上 正訳 : 固体電子論, 東海大学出版会, 東京, viii+409ページ, 21.5+15.5cm, 3,800円
- 5a-U-2 擬ポテンシャル展開法によるAsの結晶構造の研究II
- 5a-U-1 擬ポテンシャル展開法によるAsの結晶構造の研究I
- 11p-W-12 半金属(V族.IV-VI族)の結晶構造の安定性(II)
- 3p-KL-6 半金属(V族,IV-VI族)の結晶構造の安定性(I)
- 松原武生編 : 物性I; 物質の構造と性質, 岩波書店, 東京, 1973, xi+345ページ, 21.5×15.5cm, 1,400円 (岩波講座, 現代物理学の基礎7).
- 4a-K-9 金属水素の理論 : 圧力融解
- 10a-H-3 高圧下のSi,GeおよびSnの半導体 : 金属相転移の理論
- 2a-P-7 空格子点生成エネルギーのモデル計算
- 1p-F-16 Si,Geの格子振動の凝ポテンシャルによる計算
- 7p-E-9 Si,Ge中の原子空孔の形成 : 移動energyの計算 II
- 7a-E-5 SiGeの中の原子空孔の形成エネルギーの計算
- 4p-N-7 共有結合結晶の凝集エネルギーの摂動理論
- 金属の軟X線の放射と吸収 : 金属シンポジウム : 最近の金属物性の進歩に関する展望
- 軽金属L-準位巾の計算 : X線粒子線
- 金属結晶の光学的性質(SOR分光学とStorage Ringの研究会,基研研究会報告)
- 固体電子論 (昭和41年度における各専門分野研究活動の展望)
- 感想3(東京夏の学校に参加して)
- 二次元グラファイト結晶のWannier函数 : 半導体(半金属)
- ハロゲン化銅のスピン軌道相互作用 : イオン結晶・光物性
- 極低温におけるPbTeの電子易動度(半導体(マイクロ波))
- 8a-D-5 アルカリ・ハライド結晶の吸収端構造
- 7p-A-1 Si,Geの正孔のサイクロトロン共鳴
- 磁場があるときの固体電子の運動 II : 半導体
- 磁場があるときの固体電子の運動 I : 半導体
- 固体電子論
- 13p-K-2 絶縁体の誘電的性貭
- 13p-K-1 絶縁体の集団励起状態
- Effective Mass Equationと電媒定数 : 半導体
- 絶縁体の励起状態 : 半導体
- 18F-4 ダイアモンド型同極性結晶の反磁性
- 18F-3 ダイアモンド型同極性結晶の凝集エネルギーとそのバンド構造
- 10B3 凝集エネルギー理論の改良
- 6A9 Si,Geのlattice susceptibilityについて
- 6A5 遷移金属化合物の一模型
- 固体電子論
- 16G-17 凝集エネルギー理論・改良について
- 16A-1 Chesterのヘリウムの理論に関するノート
- 凝集エネルギーの理論の改良 III : イオン結晶(理論)
- 凝集エネルギーの理論の改良について.II : イオン結晶(理論)
- 有極性半導体の電子易動度
- 31E1 (招待講演)イオン結晶遲速電子の格子波による散乱
- 2. イオン結晶に於ける絶縁破壞について
- 9. 入射電子によるイオン結晶勵起に就て
- 3a GE-8 Sbの結晶構造の安定性と圧力依存性
- 1D19 Fredholmの近似解法によるイオン結晶内電子の格子波による散乱の取扱い(1D 半導体-イオン結晶)
- 28C14 Polaronのself-energyに就て(28C 半導体)
- 3.II.10 Phononと第二音波について(低温)