3p-AB-3 3次摂動展開法によるAsの格子振動
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
30p-E-18 Rhombohedral AsのSOR角度分解光電子分光
-
29a-ZA-11 金属細線の切断過程における原子配置の緩和シミュレーション
-
27p-T-2 金属細線の切断のモンテカルロ・シミュレーション
-
28p-E-11 Pd, Agのへき開・すべりにおけるsp電子とd電子の役割
-
1a-M-5 遷移金属の破壊に伴う電子状態変化
-
31a-W-1 高圧下の黒リン : I. 結晶構造と凝集エネルギー
-
6a-A2-19 黒リン薄膜結晶の光吸収特性
-
29a-G-2 黒リンの構造安定性
-
13a-NS19 黒リンの電子 : 格子相互作用II(移動度の異方性)
-
固体電子状態の研究への計算機の利用(物性研究と計算物理,研究会報告)
-
13a-N-18 黒リンの電子 : 格子相互作用I(ε_0とε_∞)
-
グラファイト層間化合物における層間電子分布と物性(インターカレーションの機構と物性(第1回),科研費研究会報告)
-
3p-NL-1 高ステージ・グラファイト層間化合物の電子構造1.電荷移動とバンド構造
-
族化合物の圧力下NaCl構造の電子構造(計算機による固体相転移の研究,科研費研究会報告)
-
4p-NL-10 族化合物の圧力下NaCl構造の電子構造
-
30a-S-10 NaCl型金属InSbの電子構造と安定性
-
2a-G-4 NaCl型InSbの電子構造
-
31p GK-2 IV族およびIII-V族半導体のコンプトン・プロフィルの異方性
-
IV族, V族の電子構造と結晶構造
-
3p-AB-3 3次摂動展開法によるAsの格子振動
-
3a-BJ-2 擬ポテンシャル法による As と Sb の結晶エネルギー
-
11a-R-1 Si,Geのコンプトン・プロフィルの異方性の計算
-
4p-M-20 Siの誘電行列の計算
-
5p-B-9 族及び族結晶とHeine-Jones model
-
7p-U-9 ブロッホ関数の多谷有効質量近似に対する効果
-
12p-T-8 金属中のExciton
-
29a-G-3 全閉管型ビスマスフラックス法による黒リン単結晶の作成
-
4p-PSA-11 マルチカノニカル法によるランダムスピン系のシミュレーション
-
31pZM-8 アニメーション作成教材による工学部学生の物理教育
-
30p-F-3 脆性亀裂の発生・進展モデルの計算機シミュレーション
-
5a-D-7 黒リンのバンド構造(圧力効果)III
-
3p-KG-5 黒リンのバンド構造(圧力効果)II
-
13a-N-17 黒リンのバンド構造(圧力効果)
-
28a-E-1 黒リン(半導体)のエネルギーバンド構造 II
-
3p-AB-1 擬ポテンシャル展開法によるリン(P)の圧力転移
-
6a-A2-16 V族結晶の高圧相
-
29a-G-5 V族元素の高圧下での金属相
-
29a-G-4 黒リンの電子-格子相互作用
-
28p-B-8 リン金属相の電子構造と格子振動 III
-
1p-F-16 リンの電子構造と格子振動
-
3a-BJ-3 IV-VI族化合物の電子構造
-
420 多孔質セラミックスの体積弾性率のモデル計算
-
29a-D-6 衝撃破壊のモデル・シミュレーション
-
28a-ZN-10 熱衝撃破壊のモデルとシミュレーション
-
31p-K-12 高ステージ・グラファイト層間化合物の電子構造 II
-
4a-B-16 高ステージ・グラファイト層間化合物の電子構造
-
1p-F-16 Si,Geの格子振動の凝ポテンシャルによる計算
-
7p-E-9 Si,Ge中の原子空孔の形成 : 移動energyの計算 II
-
27a-C-6 マイクロクラスターの熱的安定性
-
4a-KH-7 グラファイト層間化合物におけるC軸電気伝導機構
-
2p-G-9 自由型ワニア励起子の振動子強度
-
2p-G-8 ワニア型励起子局在の相対運動依存性
-
30a-H-11 フォノン場でのワニア型励起子II
-
30a-H-10 フォノン場でのワニア型励起子I
-
11p-F-14 異方性結晶に於ける電子正孔液滴の形状
-
3a GE-8 Sbの結晶構造の安定性と圧力依存性
-
3a-L2-11 ビスマスフラックス法により作成した黒リン単結晶の磁気抵抗効果とホール効果(半導体,(MOS,黒リン))
-
30a-LE-8 リン金属相の電子構造と構造安定性(半導体)
-
30a-LE-10 黒リンのバンド : 再計算(半導体)
-
3a-L2-12 黒リンの構造安定性II(半導体,(MOS,黒リン))
-
31a-G-4 黒リンにおける局在と磁気抵抗効果(31aG 半導体(ナローギャップ,擬一次元系))
-
3p-D1-11 黒リンの格子振動〜Bond Charge Modelによる計算II(3p D1 半導体(輸送現象・ホットエレクトン・黒リン),半導体)
-
31p-FB-7 高圧下CsIの金属化(31p FB 半導体(磁性半導体,ナローギャップ))
-
28p-PS-3 多孔物質としてのセメント硬化体における電気伝導(28p PS 統計力学・物性基礎論)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク