16nm技術ノードへ向けたブロック共重合体リソグラフィ (特集 新しい機能性ナノ構造にかかわる基礎研究)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 電気通信協会の論文

著者

• 山口 浩司

  東京大学大学院 情報理工学系研究科

• 山口 浩司

  三菱重工業(株)

関連論文

• レーザーレンジスキャナーを用いた都市の構築に関する研究
• 画像及び地図からの情報の抽出と都市空間の構築(人工現実感)
• 画像及び地図からの情報の抽出と都市空間の構築
• 画像および地図からの情報の抽出と都市空間の構築
• 実写画像からのカメラ位置・姿勢情報の抽出に基づく空間の構築
• 実写画像からのカメラ位置・姿勢情報の抽出に基づく空間の構築 (第11回〔日本バーチャルリアリティ学会〕「人工現実感」研究会)
• 27pYE-4 SiC(0001)上のC原子の吸着構造とその安定性(グラフェン電子物性(形成と評価),領域7,分子性固体・有機導体)
• 25pXD-6 量子ホール強磁性状態における乱雑ポテンシャルによるスピン波の崩壊(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pXD-5 量子ホール2次元電子系における光学遷移の占有数依存性(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 28aTX-3 v=1量子ホール状態近傍における量子ホール電子系のスピンダイナミクス(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aTX-2 量子ホール電子系の磁気光カー回転スペクトル(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aTX-1 電子スピン分極イメージングによる量子ホールデバイス中の電流分布測定(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYK-4 2色ポンプ・プローブカー回転測定による量子ホール電子のスピンダイナミクス(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYK-3 磁気光学効果による量子ホールデバイス中の電子スピン分極イメージング(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aWH-7 v=1量子ホール状態近傍における光誘起カー効果によるスカーミオン生成・消滅のダイナミクスの観測(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23aWH-8 高次奇数占有数におけるSkyrmionの存在の検証II(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aTH-3 Kerr効果による量子ホール状態のスピン分極測定と奇数占有数(ν=3)近傍でのSkyrmionの検証(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aTH-4 奇数占有数量子ホール状態における電子スピンコヒーレンス増大の観測(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18pRC-1 光誘起Kerr効果で見る量子Hall領域での電子スピン共鳴と動的核スピン分極(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20pPSB-14 磁気光Kerr効果で見る量子ホール凝縮相のスピン分極(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 第14回分子線エピタキシー国際会議報告
• 25pXL-14 GaAs/AlGaAs二次元電子系におけるピエゾ電圧効果(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXB-1 量子ホール系における歪効果と電子系によるエネルギー散逸(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19pYL-2 ピエゾ抵抗における超伝導近接効果(超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• InAs積層欠陥0次元構造の電子状態の低温STS評価
• 25aXD-12 InAs/GaAs/InAs(111)A成長結晶における貫通転位/積層欠陥の劈開端面STM観察(表面・界面構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 機械的振動をナノスケールまで微細化すると何が起こる? ナノメカニカル素子の物理と応用
• SiC上エピタキシャルグラフェン成長の理論検討(グラフェンの成長と応用)
• InAs/GaAs(110)へテロ界面におけるミスフィット転位形成と成長モードの関係
• 半導体格子不整合系におけるエピタキシャル成長の理論的研究 : マクロスコピックな成長過程とミクロスコピックな機構との関係 : 結晶成長の理論(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
• SC-8-3 自己組織化量子ドット形成におけるミスフィット転位の影響
• 磁気力による反磁性液滴の浮揚
• 液滴の磁気的浮揚に関する研究
• 画像及び地図からの情報の抽出と都市空間の構築
• 実写画像からのカメラ位置・姿勢情報の抽出に基づく空間の構築
• 実写画像からのカメラ位置・姿勢情報の抽出に基づく空間の構築
• 29pYF-6 InAs/AlGaSbピエゾ抵抗カンチレバーにおける量子効果(半導体スピン物性)(領域4)
• 25pWS-4 SiC(0001)表面上のエピタキシャルグラフェン島の原子構造と磁気電気効果(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 3p-B-14 MeV Heイオンに対する阻止能の衝突径数依存性
• 23aXA-5 半導体微細ロール構造の機械振動における曲率依存性(23aXA 量子細線・グラフェン,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 25aWD-7 InAs表面における二次元電子状態密度定在波の低温STM観察
• GaAs(111)A基板状MBE成長過程の実空間観察
• 26p-P-3 GaAs(111)A基板上MBE成長過程の実空間観察
• (111)A基板上GaAs成長過程の単分子層レベル実空間観察 : 招待講演
• 30p-YS-8 イオン散乱によるGaAs:Er(MBE)の構造決定
• 29a-YS-6 MeV Heに対する阻止能の衝突径数依存性
• 20pTL-6 InAs/AlGaSb ピエゾ抵抗カンチレバーにおける量子干渉効果
• (111)A面上のInAs/GaAsヘテロ構造と表面電子波のSTM観察
• (111)A面上のInAs/GaAsヘテロ構造と表面電子波のSTM観察
• 30aYA-3 四面体InAsナノ構造における局所ポテンシャル分布の低温STM測定(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
• GaAs(111)A基板に成長したInAs薄膜のSTM観察--半導体ヘテロ接合内部の構造的・電子的情報の視覚化
• 16nm技術ノードへ向けたブロック共重合体リソグラフィ (特集 新しい機能性ナノ構造にかかわる基礎研究)
• InAs表面における再構成の変化と相転移
• 26p-F-5 InAs基板表面におけるAs-As相互作用の面内異方性
• 27a-ZC-2 InAs微傾斜基板表面における表面構造相転移
• 27a-D-6 GaAs,InAs表面におけるAs脱離過程への表面再構成の影響
• 26aTA-3 SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱(26aTA 領域7,領域9合同 グラフェン(ラマン分光/端状態),領域7(分子性固体・有機導体))
• 化合物半導体マイクロ・ナノメカニクス (特集 新材料とその新機能デバイスへの応用)
• 22aTE-6 SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱II(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aTE-5 トレンチモデルを用いたSiC(0001)上グラフェン成長の検討(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェンの構造と形成(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• PS-069-2 腹腔鏡下補助下噴門側胃切除後の間置空腸嚢再建と機能評価(PS-069 胃 鏡視下-1,第112回日本外科学会定期学術集会)
• (111)A基板上のInAs/GaAsヘテロエピタキシ(ヘテロエピタキシーと界面構造制御)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク