30a-J-2 H^+, H^+_2, H^+_3の固体表面との衝突による発光
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1981-03-30
著者
-
小谷 正博
学習院大・理
-
大谷 俊介
名大・プラズマ研
-
田沢 雄二
プラズマ研
-
大谷 俊介
名大プラズマ研究所
-
川口 洋一
プラズマ研
-
小谷 正博
プラズマ研
-
川口 洋一
学習院女子短大
-
川口 洋一
学習院女子大学
-
日野 利彦
名大プラ研
-
日野 利彦
名大プラズマ研
-
後藤 哲二
学習院大・理
-
田沢 雄二
京大・理
-
重田 諭吉
横浜市大・文理
-
大谷 俊介
名大プラズマ研
関連論文
- 31a-S-3 アントラセンの光電流に対する異常磁場効果
- 27a-H-2 落下時間をストップウオッチではかる重力加速度の測定
- 30a-A-4 R計画におけるα粒子計画
- 2a-SB-27 荷電交換過程を使ったα粒子計測法の開発
- 27p-D-1 アルカリハライドからの中性原子脱離
- 3a-S-7 アルカリハライドからのイオン脱離
- 2p-P-6-1 名大プラズマ研におけるNICE実験
- 2p-P-3 バキュームスパーク型イオン源を用いた多価イオン衝突実験
- 4a-NY-10 真空スパーク型多価イオン源による電荷移動断面積の測定 IV
- 30p-W-9 真空スパーク型多価イオン源による電荷移動断面積の測定 III
- 4a-N-3 真空スパーク型多価イオン源による電荷移動断面積の測定 II
- 30p-Y-3 真空スパーク型多価イオン源による電荷移動断面積の測定
- 5a-D-6 真空スパークの粒子計測
- 5a-E3-11 新しい多重電離断面積測定装置の開発と予備実験
- 29a-G-10 電子衝撃によるハロゲンイオンの電離断面積の測定
- 29a-G-9 電子衝撃によるアルカリ土類イオンの電離断面積
- 3a-WA-7 プラズマ研における電子 : イオン衝突実験の現状
- 2a-SB-11 レーザープラズマ中高密度多価イオンのXUV光吸収
- 2p-Y-2 レーザープラズマのXUV分光
- 健康とエネルギー : エネルギー消費の制限速度の見積り
- 最適入学者数確保のための入試合格者数決定法
- 学生実験用データ収集装置の製作
- 4a-B-2 Si MOS 反転層の負磁気抵抗
- 13p-E-5 GaAs/GaAlAs界面2次元電子系の負磁気抵抗
- 4p-L-11 光励起Ar-LMM-Auger電子のPost-Collision Interaction
- 3a-TB-11 電子衝突による希ガス2価イオンの電離断面積測定
- 13a-J-7 電子衝撃による希ガス2価イオンの電離断面積の測定 III.Kr^,Xe^の断面積
- 13a-J-6 電子衝撃による希ガス2価イオンの電離断面積の測定 II.Ne^,Ar^の断面積
- 13a-J-5 電子衝撃による希ガス2価イオンの電離断面積の測定 I.実験装置
- 4a-M-6 酸化膜のないSi表面反転層の電気伝導
- 4a-H-6 InAs表面異常伝導の縦電場効果
- 27p-G-2 InAs MISFET n型反転層の電気伝導
- 30a-RB-9 InAs表面n型反転層弱局在領域の電気伝導
- 3a-A-17 シリコンMOS反転層の負磁気抵抗と谷間散乱
- 3a-A-16 MOS反転層における表面イオン散乱とアンダーソン局在
- 2a-C-7 mk領域までのMOS反転層の電気伝導 IV
- 1a-Pα-22 mK領域までのMOS反転層の電気伝導IV
- 4p-NF-8 mK領域におけるMOS反転層の電気伝導II
- 4a-NM-5 イオン衝撃による固体表面上での発光
- 5a-NL-4 Si-MOS(100)反転層2次元電子移動度の温度依存
- 5a-NL-2 Si-MOS二次元伝導の強電界効果と負磁気抵抗
- 30a-J-2 H^+, H^+_2, H^+_3の固体表面との衝突による発光
- 30p-K-7 mk領域におけるSi-MOS反転層の電気伝導
- 30p-K-6 セシウム吸着Si表面反転層のアンダーソン局在
- 30p-K-3 シリコン(100)表面2次元電子移動度の温度依存
- 3p-B-11 Si-MOS反転層の負磁気抵抗効果とアンダーソン局在II
- 4p-B-1 Si MOS 反転層の格子散乱移動度
- 4a-ZG-1 ^C^, ^B^He衝突における二電子捕獲励起状態2lnl′からの放出電子の測定
- 13p-K-4 表面・界面における非線形光学効果
- 13p-Q-7 光伝導の問題
- 29a-Q-6 一重項励起子による捕獲キャリアのデトラッピング
- Si-MOS n型反転層内のアンダ-ソン局在と負磁気抵抗
- 原子衝突の文献と断面積データの収集
- 4a-KE-1 電子衝撃による希ガス2価イオンの電離断面積の測定
- 4a-NY-11 ECRアルゴンプラズマから引出されたAr^ビーム中の準安定イオン存在比の測定 II
- 30p-W-24 ECRアルゴンプラズマから引出されたAr^ビーム中の準安定イオン存在比の測定
- 電子ビームイオン源用水平設置超伝導コイルおよびクライオスタットの製作
- 2a-S-10 Ne^,Ar^(g=4)の対称共鳴多重電荷移行
- 29a-C-4 Ar^-Na衝突におけるAr^の励起状態への1電子捕獲
- 4p-W-6 Ar^- Na衝突における励起を伴う電荷移行反応の断面積測定
- 2a-LF-2 A^+Na(q=2,3)の衝突における分光観測
- 高速中性原子線を用いたイオン結晶上のAuのエピタキシー : エピタキシー
- 高密度多価イオンのXUV光吸収 (レ-ザ-による爆縮過程と高密度プラズマの原子過程・輻射輸送(研究会報告)) -- (高密度プラズマ生成・爆縮)
- 4p-NY-10 真空スパークのX線分光
- 3p-CB-3 レーザープラズマのX線分光
- 5p-CM-8 レーザー・プラズマのX線分光
- 低速多価イオンの関与する原子物理学
- 2a-LF-1 ECRプラズマを利用した多価イオン源
- 高電子温度プラズマからのイオンの引き出しと質量分析 : 多価イオン源としての高電子温度プラズマの利用に関する予備実験
- 2a GA-4 Si-MOS反転層のフォノン散乱と負磁気抵抗効果
- 5p-DR-19 Si-MOSn型反転層の負磁気抵抗効果-(100)面
- 31p-CA-10 Si-MOS n型反転層の負磁気抵抗効果
- 12a-H-7 Cs吸着Si表面反転層の負磁気抵抗効果
- 6a-B-9 セシウム吸着シリコン表面反転層の強電界効果
- 11a-F-6 Csを吸着させたP-Si(III)表面の電気的性質
- 3p-R-11 Csを吸着させたP型Si(111)表面の電気的性質
- 14aM-6 Csを吸着させたreal Si表面の電気的性質
- 23a-G-6 Si-Csの電気的性質
- 4p-K-7 InAs表面の電流磁気効果
- 4a-TC-2 陽極酸化InAs表面反転層の異常伝導 II
- 18p-A-2 InAs劈開清浄面の磁気抵抗効果
- InAs表面二次元伝導の抵抗と磁気抵抗の異常 : 半導体(不純物伝導)
- 2p-H-11 InAsの電界量子極限における異常磁気抵抗効果
- 12a-K-7 InAs劈開面の表面電気伝導
- InAsの表面Corbino効果 : 半導体(表面)
- 30a-G-10 水素原子から高電離C,N,Oイオンへの選択的電子移行
- 1a-S-5 電子衝突によるArLMM,NeKLL Auger電子スペクトル
- 27a-C-4 Auger電子放出におけるpost-collision interaction効果
- 10p-Q-12 電子と水素原子の衝突実験装置
- 11a-D-5 希ガス原子からのAuger電子のThreshold効果
- 2a KB-11 真空スパークを用いたX線分光
- 6p-T-4 しきい値近くでの電子衝撃によるAuger電子放出
- 30p-W-10 結晶分光器によるX線分光計測法の開発(III)
- 3a-N-7 結晶分光器によるX線分光計測法の開発(II)
- 30a-Y-3 結晶分光器によるX線分光計測法の開発 I
- 31p-B-2 電子衝突におけるRead効果
- 有機結晶のなかでの励起エネルギーの移動
- 31a-G2-5 電子衝撃によるN+,Ne+,P+,Ar+イオンの電離断面積の測定(原子・分子)
- 30a-FC-10 P型InAs/SiO_2界面反転層の異常磁気抵抗効果(30a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
- 1a-BG-3 アルカリハライドからの電子衝撃脱離(1a BG 表面・界面)