30a-FC-10 P型InAs/SiO_2界面反転層の異常磁気抵抗効果(30a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))

元データ 1986-03-29 一般社団法人日本物理学会

著者

川口 洋一 学習院女子短大
川口 洋一 学習院女子大学
高柳 功 学習院大理

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