30p-F-2 H-GaAlAs/GaAsヘテロ接合界面における二次元電子の伝導現象 : 散乱体の性質とその起源について
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1982-03-15
著者
関連論文
- 22pPSA-45 InAs 量子ドット中の励起子緩和におけるボトルネック効果
- 28a-F-2 GaAs/AlGaAs界面の分数量子ホール効果;活性化エネルギ-III
- 28p-A-7 GaAs/AlGaAs界面の分数量子ホール効果 : 活性化エネルギー
- 2a-A-20 ピコ秒レーザー励起超格子フォトルミネッセンスIII
- 4a-TC-5 ピコ秒レーザー励起による超格子フォトルネッセンス
- 30p-F-2 H-GaAlAs/GaAsヘテロ接合界面における二次元電子の伝導現象 : 散乱体の性質とその起源について
- 5p-NL-2 強磁場下におけるGaAs EPI薄膜の磁気フォノン共鳴
- 新たなブレークスルーには何が必要か
- 3p-A-7 超強磁場におけるGaAs-Al_Ga_xAs超格子のサイクロトロン共鳴
- 3p-A-12 GaAs/AlGaAsヘテロ界面の負磁気抵抗
- 3p-A-11 GaAs/AlGaAsヘテロ接合界面での分数量子ホール効果
- 3p-A-6 半導体超格子のフェルミ面形状
- 30a-M-3 GaAs-AlGaAs超格子のサイクロトロン共鳴
- 5a-E-5 T型InGaAs量子細線からの発光の空間分布測定
- 特集8 : 研究速報 : SEM による粗さ測定の較正法とその応用
- 特集8 : 研究速報 : イオン線誘起電流(IBIC)を用いたイオン ・エッチング過程の新しいモニタ一法(1)
- 4a-J-15 高移動度二次元電子系のパラボリックな磁気抵抗
- 4p-J-15 高移動度二次元電子系のパラボリックな磁気抵抗
- 1a-Pα-25 GaAs-Al_xGa_Asヘテロ接合の磁気フォノン共鳴
- 30a-LD-6 GaAs/AlGaAs界面の分数量子ホール効果 : 活性化エネルギーII(半導体)
- 28p-G-6 v=1/7における分数量子ホール効果(28pG 半導体(量子ホール効果,超格子))
- 29p-FC-1 分数量子ホール効果 : 実験(特別講演,29p FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
- 3a-D5-11 ピコ秒レーザー励起による超格子フォトルミネッセンスII(3a D5 イオン結晶・光物性(励起子・ポラリトン・ピコ秒分光),イオン結晶・光物性)