THz EOサンプリング法を用いた半導体の超高速キャリア速度評価

元データ 2001-10-05 社団法人電子情報通信学会

概要

GaAs m-i-nダイオードのi層にフェムト秒レーザーパルスによってキャリアを励起し, それが内部電界によって加速されることによって放射する電磁波をEOサンプリング法により測定した.これによりキャリアの非平衡な伝導の様子を調べることが可能である.実験結果とモンテカルロ計算との比較により, サンプル構造が伝導に与える影響や, 高電界下における正孔の速度の寄与について議論した.また, 短いチャネルを有するサンプルの測定を行い, その速度波形から電子と正孔の走行時間を求めた.

著者

阿部 真理 東京大学生産技術研究所
平川 一彦 東大生研
平川 一彦 Jst-crest:東大生研:東大ナノ量子機構
平川 一彦 東京大学生産技術研究所
Shimada Y Dept. Of Japanese Oriental Medicine Faculty Of Medicine University Of Toyama
Shimada Y Tokyo Inst. Technol. Yokohama Jpn
Shimada Yuji Microsystem Research Center Precision And Intelligence Laboratory Tokyo Institute Of Technology
冨澤 一隆 明治大学 理工学部情報科学科
Shimada Y Tohoku Univ. Sendai Jpn
平川 一彦 東大生研:科技団
島田 洋蔵 東京大学生産技術研究所
シータムラジュ マダビ 東京大学生産技術研究所
SEETAMRAJU Madhavi CREST, 科学技術振興事業団
冨澤 一隆 明治大学理工学部情報通信学科
島田 洋蔵 産業技術総合研究所
嶋田 豊 富山医科薬科大学医学部和漢診療学
冨澤 一隆 明治大学理工学部
島田 洋蔵 Dept. Of Japanese Oriental Medicine Faculty Of Medicine University Of Toyama
Shimada Yutaka 21^<st> Century Coe Program Toyama Medical And Pharmaceutical University

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