THz EOサンプリング法を用いた半導体の超高速キャリア速度評価
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
GaAs m-i-nダイオードのi層にフェムト秒レーザーパルスによってキャリアを励起し, それが内部電界によって加速されることによって放射する電磁波をEOサンプリング法により測定した.これによりキャリアの非平衡な伝導の様子を調べることが可能である.実験結果とモンテカルロ計算との比較により, サンプル構造が伝導に与える影響や, 高電界下における正孔の速度の寄与について議論した.また, 短いチャネルを有するサンプルの測定を行い, その速度波形から電子と正孔の走行時間を求めた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-10-05
著者
-
阿部 真理
東京大学生産技術研究所
-
平川 一彦
東大生研
-
平川 一彦
Jst-crest:東大生研:東大ナノ量子機構
-
平川 一彦
東京大学生産技術研究所
-
Shimada Y
Dept. Of Japanese Oriental Medicine Faculty Of Medicine University Of Toyama
-
Shimada Y
Tokyo Inst. Technol. Yokohama Jpn
-
Shimada Yuji
Microsystem Research Center Precision And Intelligence Laboratory Tokyo Institute Of Technology
-
冨澤 一隆
明治大学 理工学部情報科学科
-
Shimada Y
Tohoku Univ. Sendai Jpn
-
平川 一彦
東大生研:科技団
-
島田 洋蔵
東京大学生産技術研究所
-
シータムラジュ マダビ
東京大学生産技術研究所
-
SEETAMRAJU Madhavi
CREST, 科学技術振興事業団
-
冨澤 一隆
明治大学理工学部情報通信学科
-
島田 洋蔵
産業技術総合研究所
-
嶋田 豊
富山医科薬科大学医学部和漢診療学
-
冨澤 一隆
明治大学理工学部
-
島田 洋蔵
Dept. Of Japanese Oriental Medicine Faculty Of Medicine University Of Toyama
-
Shimada Yutaka
21^<st> Century Coe Program Toyama Medical And Pharmaceutical University
関連論文
- 21pHW-5 自己形成InAs量子ドットを接合に用いたSQUIDの研究(21pHW 量子ドット・グラフェン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aHW-5 InAlAs/InGaAs多重量子井戸ヘテロ界面の2次元電子ガスからの電界電子放射(21aHW 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aHW-6 半導体超格子のTHzブロッホ放射の励起スペクトル(21aHW 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 自己組織化InAs量子ドット中の電子状態と光イオン化過程
- 27aXB-5 量子ホール電子系のTHz光子計数イメージングII(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aXB-3 量子ホール効果崩壊現象における非平衡電子分布の自己組織化構造2(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 量子ドットTHz光子検出器とそのイメージング応用 : パッシブTHz顕微鏡(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 19pYC-4 量子ホール電子系のテラヘルツ光子計数イメージングI(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19pYC-2 量子ホール効果崩壊現象における非平衡電子分布の自己組織化構造(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aYT-5 サイクロトロン発光で見る高次ランダウ準位の非平衡電子分布(量子ホール効果,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 13pYB-3 量子ホール系のサイクロトロン発光 II : フォトンカウンティング計測(量子ホール効果, 領域 4)
- 13pYB-2 量子ホール系のサイクロトロン発光 I : イメージングと分光(量子ホール効果, 領域 4)
- 29pYG-2 量子ホール効果崩壊現象における非平衡電子分布(量子ホール効果)(領域4)
- 21pTL-13 量子ホール素子の THz イメージング II : 量子ホール効果崩壊現象
- 21pTL-12 量子ホール素子の THz イメージング I : エッジチャネルからのサイクロトロン発光
- 26aYG-7 多重量子井戸ヘテロ界面の2次元電子ガスからの電界電子放射(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 28a-F-2 GaAs/AlGaAs界面の分数量子ホール効果;活性化エネルギ-III
- 28p-A-7 GaAs/AlGaAs界面の分数量子ホール効果 : 活性化エネルギー
- 28pYH-4 AFMリソグラフィーにより作製したグラフェンナノリボンの量子輸送特性(28pYH グラフェン電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- テラヘルツエレクトロニクス
- LQE2000-18 変調ドープ横方向伝導型赤外光検出器 : 構造、感度、スペクトル
- 21aHV-3 自己形成InAs量子ドットの軌道縮退点における軌道反交差のサイドゲート依存性(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aXG-11 自己形成InAs量子ドット/超伝導接合系における超伝導特性のサイドゲート制御(半導体スピン物性・量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- CS-11-5 半導体量子構造を用いたTHz・赤外光発生(CS-11.テラヘルツ波技術の進展と実用化への展望,シンポジウム)
- 半導体ブロッホ発振器 : 実現に向けた課題と展望
- 26pZK-6 半導体超格子のブロッホ振動のダイナミクスとフォートニック結晶との相互作用(テラヘルツ領域における非線形光学・高密度励起現象の新展開,領域4,領域5,領域8合同シンポジウム,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26aXD-11 半導体超格子における過渡的テラヘルツ放射とステップ応答の考察(量子井戸・超格子・光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pXG-2 強磁性電極/半導体量子ドット/非磁性電極ナノ構造におけるスピンプロッケイド効果(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26pZK-6 半導体超格子のブロッホ振動のダイナミクスとフォトニック結晶との相互作用(領域4,領域5,領域8合同シンポジウム:テラヘルツ領域における非線形光学・高密度励起現象の新展開,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 28pVA-7 テラヘルツ微小共振器と強く結合した半導体超格子のブロッホ振動(28pVA 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
- 30pTX-5 InAs単一自己形成量子ドットにおけるスピン軌道相互作用の定量的評価とその制御(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pVE-5 超極薄AlAs層挿入によるGaAs量子井戸のサブバンド間吸収線幅の制御(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aPS-42 GaAs/AlAs超格子におけるTHz放射電場波形の時間原点とブロッホ振動の位相II(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 20pYF-6 自己形成InAs量子ドット/超伝導接合系における超伝導電流の観測(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYF-5 InAs単一自己形成量子ドットにおけるスピン軌道相互作用の定量的評価(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 液中でのレーザー励起プラズマによる3次元カラー画像表示器
- 25pWJ-12 GaAs/AlAs超格子におけるTHz放射電場波形の時間原点とブロッホ振動の位相(量子井戸・超格子ほか,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 駒場リサーチキャンパス公開講演「未開発の光 : テラヘルツ電磁波技術の新展開」
- 24aTH-2 単一自己形成InAs量子ドットのスピン依存伝導特性(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 集積化光伝導ダイポールアンテナによるテラヘルツ光の発生と検出
- 19pPSB-24 GaAs量子井戸におけるサブバンド間吸収・電子ラマン散乱の対応関係と動的多体効果II(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 27pXC-6 GaAs量子井戸におけるサブバンド間吸収・電子ラマン散乱の対応関係と動的多体効果(27pXC 領域4,領域5合同 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aWB-2 強磁性電極/半導体量子ドットからなる単電子トランジスタのスピン伝導特性(微小領域磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
- 20aRC-9 強磁性電極を用いた単一InAs量子ドットの伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23pXH-10 強磁性電極を用いた単一InAs量子ドットにおけるスピン伝導(23pXH 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 集積化光伝導ダイポールアンテナによるテラヘルツ光の発生と検出
- 集積化光伝導ダイポールアンテナによるテラヘルツ光の発生と検出
- 25pPSB-27 GaAs/AlAs超格子におけるTHz放射電場波形の時間原点とブロッホ振動の位相III(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
- 3a-Eー8 低移動度GaAs/AlGaAsヘテロ接合二次元電子系の分数量子ホール効果と複合フェルミオン
- 4a-J-11 GaAs/AlGaAsヘテロ接合二次元系強磁場絶縁相の活性化伝導における電子間クーロン相互作用
- 4p-J-11 GaAs/AlGaAsヘテロ接合二次元系強磁場絶縁相の活性化伝導における電子間クーロン相互作用
- 23pWB-2 超プロトン伝導体M_3H(XO_4)_2のテラヘルツ時間領域分光測定(23pWB 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
- 24pYJ-9 超プロトン伝導体CsHSeO_4のテラヘルツ時間領域分光測定(超イオン導電体・イオン伝導体,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26a-YG-8 低温強磁場下のGaAs/AlGaAs 2次元系の複合フェルミオンの電気的性質III
- 26a-YG-8 低温強磁場下のGaAs/AlGaAs 2次元系の複合フェルミオンの電気的性質III
- キャリアライフタイム制御可能な高感度中赤外光子検出器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 8a-N-10 量子ホール効果デバイスによる超高感度遠赤外線検出
- 8a-N-10 量子ホール効果デバイスによる超高感度遠赤外線検出
- 量子ホール効果を用いた超高感度遠赤外光検出
- 26p-YG-14 量子ホール効果を用いた遠赤外光検出器の実験的研究2
- 26p-YG-14 量子ホール効果を用いた遠赤外光検出器の実験的研究2
- 30p-Q-14 量子ホール効果を用いた遠赤外光検出器の実験的研究
- 20pRC-11 単一InAs自己形成量子ドットにおける電子g因子の異方性の観測(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23aXL-10 ナノギャップ電極間のInAsドットにおける近藤効果の観測(23aXL 量子ドット(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aWQ-9 InAs量子ドットジョセフソン接合におけるスピン一重項・三重項近藤効果における電気伝導(24aWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 25aWQ-10 半導体超格子におけるTHz放射の複素電界スペクトルと励起子効果(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 24pXL-2 半導体超格子のブロッホ振動 : 非古典的振動子のテラヘルツ利得(24pXL 領域4,領域5合同シンポジウム:半導体量子構造が開くテラヘルツテクノロジー,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 第11回半導体超構国際会議(MSS 11)報告
- 会議だより 第11回半導体超構造国際会議
- 29pYH-3 半導体超格子中のブロッホ振動と inversionless gain
- SC-11-3 テラヘルツ分光を用いた半導体中のキャリアダイナミクスと超高周波伝導率の計測
- THz EOサンプリング法を用いた半導体の超高速キャリア速度評価
- 半導体超格子のブロッホ振動 : 非古典的振動子のテラヘルツ利得
- CT-2-5 量子ナノ構造の物理とテラヘルツデバイスへの展開(CT-2.ナノ・メカ・バイオ機能材料のデバイス・システムへの応用の新展開,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
- 量子効果デバイスとテラヘルツゲイン(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
- テラヘルツ電磁波でみる半導体中の電子波束の超高速ダイナミクス ("開拓"進むテラヘルツ領域)
- 半導体超格子のブロッホゲイン
- 6a-A2-2 ν
- 27pXC-4 新型高感度中赤外ディテクターでのin-situライフタイム制御性(27pXC 領域4,領域5合同 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 研究解説「先端研究を支える流体テクノ室」
- C-10-8 テラヘルツ電磁波測定によるHEMTの遮断周波数測定システム(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C. Hamaguchi, Basic Semiconductor Physics, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg and New York, 2001, xii+434p., 24×15.5cm, \8,290, [大学院向]
- 1998年ノーベル物理学賞:物理学の新局面を拓いた分数量子ホール効果--ツイ博士,ストーマー博士,ラフリン博士の業績
- 4a-J-15 高移動度二次元電子系のパラボリックな磁気抵抗
- 4p-J-15 高移動度二次元電子系のパラボリックな磁気抵抗
- 29p-C-4 高分解能電子線エネルギー損失分光を用いた半導体表面振動励起電子構造の解明
- 27pHD-10 自己形成InAs量子ドットにおけるg-テンソルの電気的制御(27pHD 若手奨励賞・量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aHC-8 単一InAs Quantum Dotのコヒーレント分光(26aHC 若手奨励賞受賞記念講演/新光源・新分光法,領域5(光物性))
- 24aTR-11 自己形成InAs量子ドット超伝導量子干渉計における強い近藤効果領域での位相測定(24aTR 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pTM-1 単一InAs自己形成量子ドットにおける光介在トンネル(23pTM 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- ジャイロトロンからのサブテラヘルツ強電場を用いたフォトン介在トンネルに基づく半導体超格子中の電流抑制と増大のクロスオーバー(テラヘルツ・マイクロ波ミリ波フォトニクスデバイスの新展開,一般)
- 高温動作に向けたテラヘルツ帯量子カスケードレーザの設計(テラヘルツ・マイクロ波ミリ波フォトニクスデバイスの新展開,一般)
- 金属ナノ接合におけるエレクトロマイグレーションの素過程と単一分子トランジスタ作製への応用
- ナノギャップ電極を用いた量子トランジスタの作製と電子伝導
- 高強度テラヘルツ電磁波を用いた半導体超格子の伝導制御
- 24pPSA-32 テラヘルツ放射分光における因果律に基づいた時間原点の決定(24pPSA 領域5 ポスターセッション,領域5(光物性))
- 27pBL-10 磁場中PLE測定によるInAs量子ドットの励起状態への光学遷移の同定(27pBL 微粒子・ナノ結晶,顕微・近接場分光,領域5(光物性))
- 29pXQ-2 並列二重量子ドットジョセフソン接合における非局所トンネル過程の検出(29pXQ 量子ドット・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28p-G-6 v=1/7における分数量子ホール効果(28pG 半導体(量子ホール効果,超格子))
- 3a-E-8 低移動度GaAs/AlGaAsヘテロ接合二次元電子系の分数量子ホール効果と複合フェルミオン(3aE 半導体,低温合同(メゾスコピック,量子ホール効果),低温)