自己組織化InAs量子ドット中の電子状態と光イオン化過程

元データ 2001-06-08 社団法人電子情報通信学会

概要

量子ドットを用いたデバイスの設計のためには、量子ドット中の電子状態を知ることは極めて重要である。自己組織化InAs量子ドットのサブバンド間遷移を用いた赤外光検出器構造を利用して、GaAsに埋め込まれたInAs量子ドット中の伝導帯s準位の束縛エネルギーを求めた。暗電流測定による方法と、赤外光光電流測定による方法で求めたところ、直径15nmの小さい量子ドットでは約120meV、直径45nmの比較的大きい量子ドットでは、約390meVとほぼ一致した。また、同様に価電子帯s準位の束縛エネルギーを求めたところ、約110meVとなり、この大きさの量子ドット中の伝導帯、価電子帯の1s準位の束縛エネルギーが明らかになった。

著者

藤本 真一 東京大学生産技術研究所
李 承雄 東京大学生産技術研究所
広谷 仁寿 東京大学生産技術研究所
Lelong Ph. 東京大学生産技術研究所
平川 一彦 Jst-crest:東大生研:東大ナノ量子機構
平川 一彦 東京大
李 承雄 東京大学生産技術研究所:科学技術振興事業団

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