Localization and Quantum Hall Effect in Two-Dimensional Systems Under Strong Magnetic Fields(Transport and Fermiology)
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概要
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Experimental researches of quantum transport properties of semiconductor two-dimensional electron systems in Si-MOSFETs and GaAs/AlGaAs heterostructures in high magnetic fields up to 27 T and at low temperatures down to 20 mK are performed. Analysis of the Hall conductivity of Si-MOSFETs based on a mobility edge model shows that the temperature dependence of the mobility edge can not be explained by existing theory of localization. The fractional quantum Hall effect is observed at the filling factor of 1/7 in heterostructures. Sample size dependence and magnetic field dependence of the breakdown of the integral quantum Hall effect in heterostructures reveal that the Hall current is carried not by the edge states but by the extended states in the localization in the bulk of the two-dimensional systems.
- 1993-06-30
著者
-
平川 一彦
Jst-crest:東大生研:東大ナノ量子機構
-
NAGATA Makoto
Department of Computer and Systems Engineering, Kobe University
-
Koike Yoji
Institute For Materials Research Tohoku Universisty
-
Fukase Tetsuro
Institute For Materials Research Tohoku University
-
Fukase Tetsuo
Institute For Materials Reserch Tohoku University
-
Goto Takayuki
Institute For Materials Research Tohoku University
-
Funase Tetsuo
Institute For Material Research Tohoku University
-
WAKABAYASHI Junichi
Department of Physics,Gakushuin University
-
KAWAJI Shinji
Department of Physics,Gakushuin University
-
FUKANO Atsuyuki
Department of Physics,Gakushuin University
-
HIRAKAWA Kazuhiko
Institute of Industrial Science,University of Tokyo
-
SAKAKI Hiroyuki
Institute of Industrial Science,University of Tokyo
-
OKAMOTO Toru
Department of Physics, University of Tokyo
-
Goto Tsuneaki
The Institute Of Solid State Physics Tokyo University
-
Sakaki H
Univ. Tokyo Tokyo Jpn
-
Fukase T
Institute For Materials Research Tohoku University
-
Okamoto Toru
Department Of Molecular Virology Research Institute For Microbial Diseases Osaka University
-
Kawaji Shinji
Department Of Physics And Chemistry Gakushuin University
-
Nagata M
Nippon Electronic Engineering College
-
Hirakawa Katsunobu
Department of Physics, Gakushuin University
-
Hirakawa Kazuhiko
Institute Of Industrial Science And Institute For Nano Quantum Information Electronics University Of
-
Sakaki Hiroyuki
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
Wakabayashi J
Department Of Physics Chuo University
-
Wakabayashi Junichi
Department Of Patholgy Hakodate Goryoukaku Hospital
-
Fukano Atsuyuki
Department Of Physics Gakushuin University
-
Sakaki Hiroyuki
Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo
-
Nagata Makoto
Department Of Computer And Systems Engineering Kobe University
-
Hirakawa Kazuhiko
Institute of Industrial Science and INQIE, University of Tokyo, Meguro, Tokyo 153-8505, Japan
-
Fukase Tetsuo
Institute for Materials Research, Tohoku University
-
Goto Takayuki
Institute for Material Research,Tohoku University
-
WAKABAYASHI Jun-ichi
Department of Physics, Gakushuin University
-
Okamoto Toru
Department of Chemistry, Faculty of Science, Kyushu University 33
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