High-field Domain Formation Conditions in Semiconductor Multiple Quantum Well Sequential Resonant Tunneling Structures
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概要
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We investigated the tunneling current-voltage (I-V) characteristics of Al_<0.3>Ga_<0.7>As/GaAs multiple quantum well (MQW) diodes with various electron densities, N_s, and scattering rates, Γ. Clear periodic negative differential resistances (NDRs) due to the formation of high-field domains were observed for the samples with low N_s and Γ, while such NDRs were completely absent in the first plateau region of the I-V characteristics of the samples with high N_s and Γ. It was found that such formation/destruction of the high-field domains in MQW diodes is controlled by the interplay of the tunneling rate and the electron supply functions between adjacent coupled quantum wells. The condition for the high-field domain formation is clarified as a function of N_s and Γ.
- 社団法人応用物理学会の論文
- 1997-03-15
著者
-
平川 一彦
Jst-crest:東大生研:東大ナノ量子機構
-
平川 一彦
東京大
-
Shimada Yozo
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
Hirakawa Kazuhiko
Institute Of Industrial Science And Institute For Nano Quantum Information Electronics University Of
-
Hirakawa Kazuhiko
Institute of Industrial Science and INQIE, University of Tokyo, Meguro, Tokyo 153-8505, Japan
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