Inフラッシュ法を用いた1ミクロン帯広帯域発光InAs量子ドットの作製と医療イメージングへの応用検討(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
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概要
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近年、新たな医療イメージング技術として光干渉断層計(OCT)が注目されている。OCTは今後、より汎用的な医療イメージング装置として発展するために、さらなる高分解能化や高到達深度が求められている。OCTの高分解能化には広帯域な光源が必要となる。また、高到達深度を得るには、光源の発光中心波長を水やヘモグロビンによる吸収・散乱が少ない1.05μmにすることが望ましい。本研究は、発光材料に自己組織化InAs量子ドット(QD)を用いることで、上記のような光源作製を目指している。今回、MBE法によるQD成長時に、In-flush法と呼ばれるQDの高さ制御法を用いて1μm帯への発光波長制御を行った。結果、InAs-QDの発光中心波長を1.22μmから約270nm短波長化させることができ、1.05μmを中心に約220nmの帯域を確保できる可能性が示された。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-11-22
著者
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杉本 喜正
物材機構
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池田 直樹
物質・材料研究機構
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杉本 喜正
物質・材料研究機構
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杉本 喜正
NEC光エレクトロニクス研究所
-
池田 直樹
独立行政法人 物質・材料研究機構
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大河内 俊介
NEC
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尾崎 信彦
和歌山大シスエ
-
日野 雄司
和歌山大シスエ
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