III/V族半導体のCl_2-ECRプラズマエッチングおよびその光素子への応用
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概要
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塩素ガス(Cl_2)のECRプラズマを用いて反応性イオンビームエッチング(RIBE)により微細加工技術を利用し,長波長レーザ,可視光レーザおよび短波長面発光レーザの3種の光素子を作製した.これらの光素子作製を通してドライエッチングに求められる平滑性,制御性,均一性および微細性の四つの課断について調べた.長波長系材料のエッチング平滑性は短波長系材料に比べて一般に良好でないが,ある条件では粗さ1.4nmと非常に良好で,作製したレーザもウェットエッチング作製素子と同等のしきい値20mAで発振した.可視光レーザの作製では,要求されるエッチング深さの高い制御性をイオン電流モニタ法により克服し,特に深さ制御のばらつきとしてσ=22nmを実現した.エッチング深さの均一性については,2インチウェーハ内でのばらつきは15nm(2.3%)と小さく,作製した可視光レーザのしきい値電流のばらつきも少なかった.また,微細性を生かした短波長面発光レーザ作製を行い集積素子の均一動作およびしきい値電流190μAの世界最小しきい値で発振を実現した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-05-25
著者
-
杉本 喜正
物材機構
-
吉川 隆士
日本電気株式会社システムプラットフォーム研究所
-
吉川 隆士
Nec光エレクトロニクス研究所 光基礎研究部
-
河本 滋
技術研究組合フェムト秒テクノロジー研究機構
-
浅川 潔
筑波大学
-
杉本 喜正
日本電気株式会社光エレクトロニクス研究所
-
河本 滋
日本電気株式会社エレクトロニクス研究所
-
浅川 潔
日本電気株式会社エレクトロニクス研究所
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