27pYH-6 単層グラフェンのテラヘルツ電磁波応答(27pYH 領域4,領域7合同 グラフェン量子効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
グラフェンでつくる結合量子ドット素子
-
21aGS-13 グラフェンにおけるサイクロトロン共鳴励起THz光伝導の観測(21aGS 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
-
26aXG-2 グラフェン結合量子ドットにおけるクーロンブロッケイド効果の観測(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
27pYH-5 グラフェン量子ドットの単一電子輸送特性(27pYH 領域4,領域7合同 グラフェン量子効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
カーボンナノチューブ結合量子ドットの形成と量子相関デバイスへの応用
-
29pYS-10 カーボンナノチューブにおける量子ドット的電気伝導
-
カーボンナノチューブを用いた単一および結合量子ドット
-
25pSA-11 単層カーボンナノチューブを用いた量子ドットの形成
-
24aS-10 多層カーボンナノチューブの電気伝導特性
-
カーボンナノチューブ量子ドットとGaAs/AlGaAs2次元電子ガスのハイブリッド化(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
-
カーボンナノチューブ量子ドットとGaAs/AlGaAs 2次元電子ガスのハイブリッド化(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
-
ナノ構造技術
-
カーボンナノチューブ量子ドットのテラヘルツ波応答
-
カーボンナノチューブ人工原子とテラヘルツ量子応答
-
カーボンナノチューブ人工原子とそのテラヘルツ波応答
-
24aTH-7 カーボンナノチューブ量子ドットにおけるコトンネリング伝導(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
21pTA-1 カーボンナノチューブ量子ドットのテラヘルツ光子応答(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
27p-X-1 Weak Localisation in Ballistic Quantum Dots: Non Ensemble Averaged Effects
-
29pZP-4 二層カーボンナノチューブ量子ドットへの単一キャリア注入(ナノチューブ(伝導特性・磁性))(領域7)
-
30pZP-5 多層カーボンナノチューブの層数制御による伝導特性の変化III(ナノチューブ・ピーポッド)(領域7)
-
23aXF-9 多層カーボンナノチューブの層数制御による伝導特性の変化 II
-
24pRA-14 グラフェンにおけるポテンシャル分布イメージング(24pRA 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
-
29pYS-10 カーボンナノチューブにおける量子ドット的電気伝導
-
25pK-3 ドットアレイにおける強磁場共鳴ピーク
-
26aF-12 カーボンナノチューブに形成された量子ドットの電気伝導特性
-
19pTJ-6 多層カーボンナノチューブの1次元伝導III
-
29a-PS-55 Ni細線における磁化緩和
-
18aRJ-1 カーボン13ナノチューブの成長と評価(ナノチューブ・構造・物性,領域7,分子性固体・有機導体)
-
29pXB-9 カーボンナノチューブ量子ドットのスピン状態(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
カーボンナノチューブを用いた磁気接合素子における巨大磁気抵抗効果
-
カーボンナノチューブ量子ドット中の単一電子スピンの発生と操作
-
単層カーボンナノチューブによる高スピン偏極電流の発現
-
13aWB-5 単層カーボンナノチューブへの高スピン偏極電流の注入(薄膜・人工格子磁性, 領域 3)
-
23aXF-4 単層・多層ナノチューブにおけるスピンコヒーレンス
-
カーボンナノチューブを用いた量子ナノデバイス : 量子相関デバイスの実現に向けて
-
カーボンナノチューブ量子ドットのテラヘルツ光応答(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
-
異種基板上へのカーボンナノチューブ量子ドットの作製と評価
-
14pYB-8 単層カーボンナノチューブ量子ドットの励起スペクトル(量子ドット・量子閉じ込め : 実験, 領域 4)
-
30aYA-12 単層カーボンナノチューブ量子ドットにおけるShell Fillingとゼーマン分裂の観測(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
-
カーボンナノチューブ量子ドットにおける単一電子スピンの発生 : スピンの量子操作を目指して(量子効果デバイス及び関連技術)
-
カーボンナノチューブ量子ドットにおける単一電子スピンの発生 : スピンの量子操作を目指して(量子効果デバイス及び関連技術)
-
20aYH-6 量子ドットやドット列におけるフラクタル的な磁気抵抗
-
18pYJ-4 マルチ結合量子ドットにおける伝導度ゆらぎ
-
28aYX-10 多層カーボンナノチューブの1次元伝導 II
-
28aYS-9 ドットアレイにおける閉じ込め効果
-
27aTC-10 量子ドット列における低温磁気抵抗のフラクタル性
-
単一量子ドット中の伝導度ゆらぎ
-
7a-N-1 量子ドットにおけるコンダクタンスの非周期ゆらぎ
-
7a-N-1 量子ドットにおけるコンダクタンスの非周期ゆらぎ
-
29a-R-8 量子細線の磁気抵抗 : 凹凸構造における電子散乱機構
-
29a-R-8 量子細線の磁気抵抗 : 凹凸構造における電子散乱機構
-
矩形型ゲートをもつ量子細線の磁気抵抗(II)
-
矩形型ゲートをもつ量子細線の磁気抵抗(II)
-
単一量子ドット中の伝導度ゆらぎ
-
1a-E-11 量子ドット列の負の磁気抵抗
-
31a-YA-4 矩形型ゲートをもつ量子細線の磁気抵抗
-
22pTH-13 結合量子ドット系における磁気ゆらぎのフラクタル解析
-
24pSA-1 ドットアレイにおけるキャリアー濃度のゲート依存性
-
23pL-4 ドットアレイにおける古典・量子伝導現象の競合
-
27aD-6 微小超伝導リングにおけるLittle-Parks振動の振幅減少
-
25aD-11 ドットアレイにおける金属-絶縁体移転
-
29a-ZB-1 コルゲーション型量子細線における磁気フォーカシング
-
29a-ZB-1 コルゲーション型量子細線における磁気フォーカシング
-
25p-YG-3 量子ドットや細線の電気伝導におけるフラクタル性II
-
27p-YG-4 超伝導SETを流れる超伝導電流のトンネル抵抗依存性
-
25p-YG-3 量子ドットや細線の電気伝導におけるフラクタル性II
-
31a-Q-13 量子ドットや細線の電気伝導におけるフラクタル性
-
31a-Q-13 量子ドットや細線の電気伝導におけるフラクタル性
-
7p-N-3 コルゲーションゲート型量子細線における電子散乱機構
-
7p-N-3 コルゲーションゲート型量子細線における電子散乱機構
-
壁面構造のあるスプリッドゲート型量子細線の電気伝導
-
24pYF-11 多層カーボンナノチューブの1次元伝導
-
1a-E-6 量子ドットの位相緩和時間と逃避時間
-
27pYH-6 単層グラフェンのテラヘルツ電磁波応答(27pYH 領域4,領域7合同 グラフェン量子効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
24pSA-2 量子ドットにおける分子的挙動
-
21pTA-2 カーボンナノチューブ量子ドットを用いた近接場テラヘルツイメージング(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
Phase Breaking in Ballistie Quantum Dots:A Correlation Field Analysis
-
Weak Locallisation in Ballistle Quantum Dots(Non Ensemble Averaged Effects)
-
5p-N-8 中間電極が超伝導リングからなるSETトランジスタの電気伝導II
-
バリスティックな量子ドットにおける伝導率ゆらぎの磁場・温度依存性
-
超伝導2重微小トンネル接合における電気伝導
-
27p-X-2 Phase Breaking in Ballistic Quantum Dots: A Correlation Field Analysis
-
31p-N-2 The Spectral Characteristics of Conductance Fluctuations in Ballistic Quantum Dots
-
25aXD-12 フェムト秒パルス励起によるナノ光伝導素子のキャリアダイナミクス
-
25aHD-11 InAsナノワイヤを用いた単一モード中の超伝導電流(25aHD グラフェン・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
カーボンナノチューブを用いたナノデバイスプロセスの開発 (特集 新世代を拓くプロセス技術)
-
量子ドットと単電子デバイス (特集 DNA計算・光情報処理・ナノテクノロジー--新しいコンピュータの可能性)
-
半導体量子ドットを用いた量子状態制御--量子コンピューティングデバイスへの可能性 (特集 量子情報処理・量子コンピュータ--量子力学がもたらすブレークスルー)
-
27p-B-12 Geometrical Scattering Effects in Small Split Gate Structures
-
29p-X-8 スプリットゲート細線における低温電気伝導
-
28p-L-9 Magnetotransport Studies of Electron-interaction & Geometry Related Effects in Semiconductor Quantum Dots
-
7aSA-11 超伝導単電子トランジスタにおけるe周期性と2e周期性(量子ドット・微小ジョセフソン接合・微小SN接合,領域4)
-
26pDK-10 グラフェンを用いた高周波検出デバイスの可能性(グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
25pPSB-61 Coドープルチル型TiO_2における強磁性Coイオン(領域3ポスターセッション(量子スピン・フラストレーション・スピングラス・f電子・酸化物・化合物磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
-
6aSA-3 結合量子ドットにおけるフラクタル挙動(アンダーソン局在・量子カオス・量子細線,領域4)
-
26pXN-13 多層カーボンナノチューブにおける3端子伝導特性(26pXN ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体分野))
-
27aWE-7 量子ドット系におけるフラクタル的磁気伝導現象(27aWE 局在,量子カオス,バリスティック伝導,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
-
26pXP-9 量子ドットアレイにおける高磁場輸送現象の数値シミュレーション(26pXP 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
-
24pXP-3 結合量子ドットにおける伝導度ゆらぎの解析(24pXP 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
-
28pCL-2 グラフェンFETを用いたTHz波検出の温度依存性(28pCL 領域4,領域7合同 グラフェン(分光・電子状態),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク