6a-A-10 色素レーザーによるCdTeの発光測定

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1971-04-06

著者

• 難波 進

  理研

• 瀬川 勇三郎

  東北大理:理研pdc

• 瀬川 勇三郎

  理研

• 瀬川 勇三郎

  理化学研究所

関連論文

• 走査型近接場光学顕微鏡によるポリスチレン微粒子配列膜の観察
• 27pXC-11 エピタキシャル成長によるSr_2NiO_3単結晶薄膜の作成と光学評価(遷移金属酸化物光キャリア注入・分光))(領域8)
• 30aTF-5 磁化誘起SHG法を用いたCo:rutile TiO_2(110)表面磁化の異方性観察(30aTF 領域3,領域9合同 表面界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30aTF-5 磁化誘起SHG法を用いたCo:rutile TiO_2(110)表面磁化の異方性観察(30aTF 領域3,領域9合同 表面界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 5a-N-6 TEACO_2レーザー励起NH_3のダイオードレーザーによる2重共鳴分光
• 5a-S-3 レーザーによる臭素の同位体分離
• ジャイアント・パルスの実験(II) : 量子エレクトロニクス
• 閃亜鉛鉱型単結晶の電気光学的効果 : 光変調シンポジウム : 一般講演
• レーザー加工 : 電子ビームシンポジウム
• レーザー用ガラス材料の研究 : Nd最適ドープ量と発振スペクトル : 量子エレクトロニクス
• 29aYF-6 一次元銅酸化物の三次非線型光学応答の A サイトイオン半径依存性
• 29a-B-6 ピコ秒トランジェントグレーティングによるCdS, CuCl素励起の拡散の測定 (II)
• 2a-Z-11 ピコ秒波長可変レーザーを用いたポラリトンの分散の測定 II : Cds について
• 2a-Z-2 ピコ秒円偏光励起による CuCl の k=0 の励起子分子の発光とその時間分解測定
• 5a-B-6 カルコゲナイドガラスにおける Photodarkening 初期過程の動的特性
• 25a-ZE-17 CuCl薄膜中の励起子分子
• 25a-ZE-16 CuCl薄膜における励起子の量子サイズ効果
• 27a-ZD-7 光誘起相転移におけるフォトキャリヤの役割
• 28a-G-9 ポリジアセチレン単結晶の光スイッチング
• 28pYF-10 非縮退二光子励起による CuCl 薄膜からの散乱光
• 30p-Z-15 InGaAs-GaAs異種接合におけるバンドオフセット値の精密測定 II
• 4a-C3-19 CuCl薄膜内の励起子と励起子分子
• 28p-B-5 CuCl単結晶薄膜の発光と時間分解スペクトル
• 3p-C3-8 Ti:BeAl_2O_4中のTi^の光学的性質と電子状態
• ワイドギャップ2-6族半導体ZnSおよびZnOによる量子構造の作製
• ワイドギャップII-VI族半導体による量子構造の作製 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
• 3p-X-5 ZnCdSe/ZnSe多重量子井戸内励起子ポーラロンと強磁場
• 29a-Z-13 ZnCdSe/ZnSe多重量子井戸内励起子のg値の混晶比及び井戸幅依存性:I
• 銅ハライド : 励起子のFaraday効果 : イオン結晶
• 銅ハライド:励起子のFaranday効果 : イオン結晶, 光物性
• 19aRF-2 高エネルギー電子線とフォトニック結晶の相互作用に関する実験 I
• 19aRF-2 高エネルギー電子線とフォトニック結晶の相互作用に関する実験 I
• 14a-DC-2 半導体微粒子の磁気光学効果III
• 30a-Q-8 半導体微粒子の磁気光学効果II
• 25p-ZE-5 半導体微粒子の磁気光学効果
• 18aPS-21 CuCl薄膜における二光子励起散乱過程
• 31p-YG-4 NaCl中のCuCl超微粒子の二光子時間分解分光 II
• 7a-J-13 NaCl中のCuCl超微粒子の二光子時間分解分光
• 28p-YE-3 NaCl中のCuCl超微粒子の顕微分光
• CuCl超微粒子の二光子分光II
• 10p-R-9 イオン注入Si:P系に於けるESR時の電気抵抗変化
• 1a-KG-11 GaAs/GaAlAs単一量子井戸における担体のピコ秒ダイナミクス
• 6a-G-14 ピコ秒レーザーを用いたZnO等の発光寿命の測定 II
• 微小重力下での帯溶融法によるPbSnTe単結晶成長(無重力下における結晶成長)
• 26p-F-6 クリソベリル結晶の波長可変固体レーザー
• 29p-K-4 ポラリトンのダイナミックス (CuClを中心として)
• 1a-K-11 CuClのピコ秒誘導吸収による附加境界条件の検討(II)
• 4p-NE-4 CuClのピコ秒誘導吸収による附加境界条件の検討
• 30p-ZH-1 NaCl中のCuCl超微粒子の二光子時間分解分光III
• 30p-G-6 NaCl型結晶上へのCuClのエピタキシャル成長
• 6a-H-4 低電圧大容量コンデンサバンクによる放電プラズマの性質 III
• 5a-L-3 イオン性結晶のFaraday効果
• シンクロスキャンストリ-クを用いた半導体微弱光測定
• 4p-NE-5 CuClにおける励起子ポラリトンの拡散
• 2p-M-11 GaSeにおける励起子吸収の時間変化
• 2p-M-6 銅ハライド励起子のボトルネックの測定
• セラミックスの電磁気的・光学的性質 : VII. 光学的性質励起子とその光物性 : 酸化亜鉛を例として
• フォトニクスとナノケミストリー (特集:エレクトロニクスの最先端とナノケミストリー)
• 光物性の高速評価 (新春特集 新世紀のマテリアルハイウェイ--コンビナトリアル技術による材料開発)
• ZnO薄膜の励起子レーザー発振
• 新紫外材料ZnO系半導体の励起子光物性
• 励起子の平面閉じ込め効果
• 7a-J-18 ピコ秒レーザーを用いたZnOの発光寿命の測定
• 7a-J-14 CuCl励起子分子発光の一軸応力効果
• 5p-Q-2 CdS励起子分子の一軸応力効果
• 2p-Q-5 CdS及びZnOの励起子分子発光の一軸応力効果
• 14a-Y-9 CdS励起子分子発光の一軸応力による分裂
• 22p-H-1 CdS_Se_x混晶の発光
• 5a-L-9 CdS発光の圧力効果
• 10a-Q-12 CdS発光の圧力効果
• シリコン単結晶薄膜(VIII) : 薄膜
• 電子ビームによる金属の加工 : 電子ビームとその応用シンポジウム
• 電子ビームの特殊応用 : 電子ビームとその応用シンポジウム
• CdS蒸着膜の電気的特性 : 表面物理, 薄膜
• シリコン単結晶薄膜(II) : 表面物理, 薄膜
• レーザ加工
• CdS蒸着膜の電気的特性(2) : 表面物理, 薄膜
• 電子ビーム加工の機構 : 電子ビームシンポジウム
• 薄膜能動素子の基礎研究(第四報) : CdS蒸着膜による電界効果型薄膜トランジスター : 薄膜・応用電子物性シンポジウム
• 電子ビーム加工とレーザー加工 : 電子ビーム加工シンポジウム
• ガラスレーザーの実験(量子エレクトロニクス)
• 電子ビーム加工法について(電気物理加工特集)
• 4p-B-6 半導体の研究および加工への応用
• 計数式干渉計型ガス分析計 : VI. 測定
• TiO_2透明電導性薄膜について : II. 光学
• 有機染料の電場発光に関する研究 : XXI. 光物性
• 3p-BG-6 共鳴二光子励起下のCuCl励起子系のピコ秒領域動的挙動の測定
• 3p-BG-5 ピコ秒レーザーを用いたCuBrの発光寿命の測定
• 4a-DR-7 共鳴二光子励起下のCuCl励起子分子ポラリトン系のピコ秒領域動的挙動の測定II
• 絶縁物基板上のシリコン単結晶薄膜
• 31p GF-5 ピコ秒トランジェントグレーティング法によるCuCl, CdS素励起の拡散の測定 (I)
• 31p GF-4 ピコ秒可変波長レーザーを用いたポラリトンの分散の測定
• 6a-A-10 色素レーザーによるCdTeの発光測定
• Ni-Cr蒸着膜の組成と電気特性 : 表面物理, 薄膜
• 電子ビーム励起によるレーザー : 電子ビームとその応用シンポジウム
• II-VI化合物の電子線励起レーザー (II) : イオン結晶・光物性
• 薄膜能動素子の基礎研究(第三報) : トンネル効果型三極素子 : 薄膜・応用電子物性シンポジウム
• 7pPSA-21 非縮退二光子励起散乱法によるCuCl薄膜の観測(領域5)
• 3a-C-2 CuC1薄膜内の励起子と励起子分子(イオン結晶・光物性)
• 3a-D5-10 GaAs/GaAlAs多重量子井戸からの発光の時間変化(3a D5 イオン結晶・光物性(励起子・ポラリトン・ピコ秒分光),イオン結晶・光物性)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク