ワイドギャップII-VI族半導体による量子構造の作製 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
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概要
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II-VI族化合物半導体において, 低次元ナノ構造(量子井戸や量子細線, 量子ドット)に閉じ込められた電子や正孔, 更には励起子を利用した新しい光デバイスの実現に向けて, その作製技術および新材料系について検討を加える。はじめに, 3次元閉込め構造(量子ドット)の作製およびその光学的性質について, 自然形成法を中心に解説する。次いで, 励起子を利用した新しい発光デバイスの実現に向けて, 励起子束縛エネルギーの大きな材料系(ZnS, ZnO)の作製を試み, 光学的性質を中心に現状を述べる。特に, 光励起レーザ特性に言及し, 新しいレーザ材料としての可能性を探る。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-01-25
著者
-
瀬川 勇三郎
理化学研究所フォトダイナミクス研究センター
-
瀬川 勇三郎
東北大理:理研pdc
-
瀬川 勇三郎
理研
-
瀬川 勇三郎
理研・フォトダイナミクス
-
瀬川 勇三郎
理化学研究所
-
安田 隆
理化学研究所フォトダイナミクス研究センター
-
張 保平
理化学研究所フォトダイナミクス研究センター
-
張 保平
東北大理:理研pdc
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