光物性の高速評価 (新春特集 新世紀のマテリアルハイウェイ--コンビナトリアル技術による材料開発)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
走査型近接場光学顕微鏡によるポリスチレン微粒子配列膜の観察
-
27pXC-11 エピタキシャル成長によるSr_2NiO_3単結晶薄膜の作成と光学評価(遷移金属酸化物光キャリア注入・分光))(領域8)
-
30aTF-5 磁化誘起SHG法を用いたCo:rutile TiO_2(110)表面磁化の異方性観察(30aTF 領域3,領域9合同 表面界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
30aTF-5 磁化誘起SHG法を用いたCo:rutile TiO_2(110)表面磁化の異方性観察(30aTF 領域3,領域9合同 表面界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
-
24pPSA-46 フェムト秒レーザーを用いた磁化誘起光第二高調波観測システムの構築(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
22pPSB-74 Co:TiO_2(110)からの磁化誘起SH光強度の方位角依存性(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
20aPS-46 Co:TiO_2(110)におけるバルク吸収波長領域での磁化誘起SHGの観測(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
30aPS-65 磁化誘起SHG法によるCoを添加したルチルTiO_2(110)の表面磁性の研究(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
-
14aXD-11 磁化誘起 SHG 法を用いた Co・TiO_2 表面の磁性の研究(表面・界面磁性, 領域 3)
-
14aXD-11 磁化誘起 SHG 法を用いた Co : TiO_2 表面の磁性の研究(表面・界面磁性, 領域 9)
-
29aYF-6 一次元銅酸化物の三次非線型光学応答の A サイトイオン半径依存性
-
29a-B-6 ピコ秒トランジェントグレーティングによるCdS, CuCl素励起の拡散の測定 (II)
-
2a-Z-11 ピコ秒波長可変レーザーを用いたポラリトンの分散の測定 II : Cds について
-
2a-Z-2 ピコ秒円偏光励起による CuCl の k=0 の励起子分子の発光とその時間分解測定
-
5a-B-6 カルコゲナイドガラスにおける Photodarkening 初期過程の動的特性
-
25a-ZE-17 CuCl薄膜中の励起子分子
-
25a-ZE-16 CuCl薄膜における励起子の量子サイズ効果
-
27a-ZD-7 光誘起相転移におけるフォトキャリヤの役割
-
28a-G-9 ポリジアセチレン単結晶の光スイッチング
-
28pYF-10 非縮退二光子励起による CuCl 薄膜からの散乱光
-
28a-J-7 CuCl薄膜における磁気円偏光2色性: II
-
14a-DC-3 CuCl薄膜における励起子の量子サイズ効果III
-
14a-DC-1 CuCl薄膜における磁気円偏向2色性
-
30a-Q-9 CuCl薄膜における励起子の量子サイズ効果II
-
1a-N-7 GaAs/AlAs多重量子井戸内の2次元励起子の強磁場依存性
-
28a-ZH-13 GaAs/AlAs多重量子井戸内の2次元励起子の磁場依存性
-
25p-X-19 GaAs薄膜・量子井戸の励起子
-
2a-D-3 GaAs/AlAs多重量子井戸における磁場効果 II
-
30p-Z-15 InGaAs-GaAs異種接合におけるバンドオフセット値の精密測定 II
-
6a-B-5 GaAs/AlGaAs多重量子井戸のへき開綿発光の磁場効果
-
3a-B-13 GaAs薄膜における励起子の磁場効果
-
3p-C-17 磁場を用いたGaAs-InGaAs歪超格子のバンドオフセット値の精密決定
-
3p-C-8 GaAs/AlGaAs多重量子井戸における磁場効果
-
レーザー単原子層成長法による成長層の特性評価
-
4a-C3-19 CuCl薄膜内の励起子と励起子分子
-
4a-C3-18 GaAs薄膜内励起子ポラリトンの量子化
-
4a-C3-15 GaAs/Al_Ga_As多重量子井戸におけるフォトルミネッセンスの偏光特性
-
GaAs/GaAlAs量子井戸細線からの発光の過渡特性
-
28p-B-5 CuCl単結晶薄膜の発光と時間分解スペクトル
-
2次元励起子の非常に遅いエネルギ-緩和過程 (超高速量子エレクトロニクス) -- (物理への応用)
-
3p-C3-8 Ti:BeAl_2O_4中のTi^の光学的性質と電子状態
-
ワイドギャップ2-6族半導体ZnSおよびZnOによる量子構造の作製
-
ワイドギャップII-VI族半導体による量子構造の作製 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
-
3p-X-5 ZnCdSe/ZnSe多重量子井戸内励起子ポーラロンと強磁場
-
29a-Z-13 ZnCdSe/ZnSe多重量子井戸内励起子のg値の混晶比及び井戸幅依存性:I
-
28a-A-12 強磁場中でのGaAs/AlGaAs 量子井戸二次元励起子のダイナミクス
-
28a-A-7 GaAs 量子井戸におけるエネルギー緩和
-
銅ハライド : 励起子のFaraday効果 : イオン結晶
-
銅ハライド:励起子のFaranday効果 : イオン結晶, 光物性
-
19aRF-2 高エネルギー電子線とフォトニック結晶の相互作用に関する実験 I
-
19aRF-2 高エネルギー電子線とフォトニック結晶の相互作用に関する実験 I
-
14a-DC-2 半導体微粒子の磁気光学効果III
-
30a-Q-8 半導体微粒子の磁気光学効果II
-
25p-ZE-5 半導体微粒子の磁気光学効果
-
18aPS-21 CuCl薄膜における二光子励起散乱過程
-
31p-YG-4 NaCl中のCuCl超微粒子の二光子時間分解分光 II
-
7a-J-13 NaCl中のCuCl超微粒子の二光子時間分解分光
-
28p-YE-3 NaCl中のCuCl超微粒子の顕微分光
-
CuCl超微粒子の二光子分光II
-
1a-KG-11 GaAs/GaAlAs単一量子井戸における担体のピコ秒ダイナミクス
-
6a-G-14 ピコ秒レーザーを用いたZnO等の発光寿命の測定 II
-
1a-X-9 誘電体球によりミリ波領域光結晶の製作
-
29a-W-12 誘電体球によるミリ波領域光結晶の製作
-
微小重力下での帯溶融法によるPbSnTe単結晶成長(無重力下における結晶成長)
-
26p-F-6 クリソベリル結晶の波長可変固体レーザー
-
29p-K-4 ポラリトンのダイナミックス (CuClを中心として)
-
1a-K-11 CuClのピコ秒誘導吸収による附加境界条件の検討(II)
-
4p-NE-4 CuClのピコ秒誘導吸収による附加境界条件の検討
-
30p-ZH-1 NaCl中のCuCl超微粒子の二光子時間分解分光III
-
30p-G-6 NaCl型結晶上へのCuClのエピタキシャル成長
-
5a-L-3 イオン性結晶のFaraday効果
-
シンクロスキャンストリ-クを用いた半導体微弱光測定
-
3a-F-13 強磁場中でのGaAs/AlGaAs MQW二次元励起子のダイナミクス
-
CuClの励起子ポラリトンと付加境界条件
-
4p-NE-5 CuClにおける励起子ポラリトンの拡散
-
2p-M-11 GaSeにおける励起子吸収の時間変化
-
2p-M-6 銅ハライド励起子のボトルネックの測定
-
セラミックスの電磁気的・光学的性質 : VII. 光学的性質励起子とその光物性 : 酸化亜鉛を例として
-
フォトニクスとナノケミストリー (特集:エレクトロニクスの最先端とナノケミストリー)
-
光物性の高速評価 (新春特集 新世紀のマテリアルハイウェイ--コンビナトリアル技術による材料開発)
-
ZnO薄膜の励起子レーザー発振
-
新紫外材料ZnO系半導体の励起子光物性
-
励起子の平面閉じ込め効果
-
7a-J-18 ピコ秒レーザーを用いたZnOの発光寿命の測定
-
7a-J-14 CuCl励起子分子発光の一軸応力効果
-
5p-Q-2 CdS励起子分子の一軸応力効果
-
2p-Q-5 CdS及びZnOの励起子分子発光の一軸応力効果
-
14a-Y-9 CdS励起子分子発光の一軸応力による分裂
-
22p-H-1 CdS_Se_x混晶の発光
-
5a-L-9 CdS発光の圧力効果
-
10a-Q-12 CdS発光の圧力効果
-
3p-BG-6 共鳴二光子励起下のCuCl励起子系のピコ秒領域動的挙動の測定
-
3p-BG-5 ピコ秒レーザーを用いたCuBrの発光寿命の測定
-
4a-DR-7 共鳴二光子励起下のCuCl励起子分子ポラリトン系のピコ秒領域動的挙動の測定II
-
31p GF-5 ピコ秒トランジェントグレーティング法によるCuCl, CdS素励起の拡散の測定 (I)
-
31p GF-4 ピコ秒可変波長レーザーを用いたポラリトンの分散の測定
-
6a-A-10 色素レーザーによるCdTeの発光測定
-
7pPSA-21 非縮退二光子励起散乱法によるCuCl薄膜の観測(領域5)
-
3a-C-2 CuC1薄膜内の励起子と励起子分子(イオン結晶・光物性)
-
3a-D5-10 GaAs/GaAlAs多重量子井戸からの発光の時間変化(3a D5 イオン結晶・光物性(励起子・ポラリトン・ピコ秒分光),イオン結晶・光物性)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク