有機染料の電場発光に関する研究 : XXI. 光物性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1959-03-31
著者
関連論文
- 5a-N-6 TEACO_2レーザー励起NH_3のダイオードレーザーによる2重共鳴分光
- 30a-S-1 NH_3レーザーによる多光子励起異性化反応
- F-3 レーザー音響顕微鏡(超音波顕微鏡・映像)
- E-4 レーザー励起顕微光音響映像法(光音響応用)
- シランイオンビ-ムによるSiのエッチング
- レ-ザ-加熱によるベンゼン誘導体の分解と反応
- 4a-P-3 レーザーによる塩素の同位体分離
- 5a-S-3 レーザーによる臭素の同位体分離
- レーザー化学反応への応用 : 量子エレクトロニクス
- Nd^ガラスの劣化(第2報) : 量子エレクトロニクス
- レーザー照射された金属面における荷電粒子の発生 : 量子エレクトロニクス
- Ndガラスの劣化 : 量子エレクトロニクス
- ジャイアント・パルスの実験(II) : 量子エレクトロニクス
- 閃亜鉛鉱型単結晶の電気光学的効果 : 光変調シンポジウム : 一般講演
- レーザー加工 : 電子ビームシンポジウム
- レーザー加工
- 外部鏡によるレーザーの実験 : 量子エレクトロニクス
- レーザー用ガラス材料の研究 : Nd最適ドープ量と発振スペクトル : 量子エレクトロニクス
- 29a-B-6 ピコ秒トランジェントグレーティングによるCdS, CuCl素励起の拡散の測定 (II)
- 2a-Z-11 ピコ秒波長可変レーザーを用いたポラリトンの分散の測定 II : Cds について
- 2a-Z-2 ピコ秒円偏光励起による CuCl の k=0 の励起子分子の発光とその時間分解測定
- 5a-B-6 カルコゲナイドガラスにおける Photodarkening 初期過程の動的特性
- 30p-Z-15 InGaAs-GaAs異種接合におけるバンドオフセット値の精密測定 II
- 4a-C3-19 CuCl薄膜内の励起子と励起子分子
- 28p-B-5 CuCl単結晶薄膜の発光と時間分解スペクトル
- 10p-R-9 イオン注入Si:P系に於けるESR時の電気抵抗変化
- 1a-KG-11 GaAs/GaAlAs単一量子井戸における担体のピコ秒ダイナミクス
- 6a-G-14 ピコ秒レーザーを用いたZnO等の発光寿命の測定 II
- 1a-K-11 CuClのピコ秒誘導吸収による附加境界条件の検討(II)
- 4p-NE-4 CuClのピコ秒誘導吸収による附加境界条件の検討
- 6a-H-4 低電圧大容量コンデンサバンクによる放電プラズマの性質 III
- 4p-NE-5 CuClにおける励起子ポラリトンの拡散
- 2p-M-11 GaSeにおける励起子吸収の時間変化
- 2p-M-6 銅ハライド励起子のボトルネックの測定
- 28a-A-5 パルス・ポラリトンの伝播
- 7a-J-18 ピコ秒レーザーを用いたZnOの発光寿命の測定
- 7a-J-14 CuCl励起子分子発光の一軸応力効果
- 5p-Q-2 CdS励起子分子の一軸応力効果
- 2p-Q-5 CdS及びZnOの励起子分子発光の一軸応力効果
- 14a-Y-9 CdS励起子分子発光の一軸応力による分裂
- 22p-H-1 CdS_Se_x混晶の発光
- 5a-L-9 CdS発光の圧力効果
- 10a-Q-12 CdS発光の圧力効果
- シリコン単結晶薄膜(VIII) : 薄膜
- 電子ビームによる金属の加工 : 電子ビームとその応用シンポジウム
- 電子ビームの特殊応用 : 電子ビームとその応用シンポジウム
- CdS蒸着膜の電気的特性 : 表面物理, 薄膜
- シリコン単結晶薄膜(II) : 表面物理, 薄膜
- レーザ加工
- CdS蒸着膜の電気的特性(2) : 表面物理, 薄膜
- 電子ビーム加工の機構 : 電子ビームシンポジウム
- 薄膜能動素子の基礎研究(第四報) : CdS蒸着膜による電界効果型薄膜トランジスター : 薄膜・応用電子物性シンポジウム
- 電子ビーム加工とレーザー加工 : 電子ビーム加工シンポジウム
- ガラスレーザーの実験(量子エレクトロニクス)
- 電子ビーム加工法について(電気物理加工特集)
- 4p-B-6 半導体の研究および加工への応用
- 計数式干渉計型ガス分析計 : VI. 測定
- TiO_2透明電導性薄膜について : II. 光学
- 有機染料の電場発光に関する研究 : XXI. 光物性
- 3p-BG-6 共鳴二光子励起下のCuCl励起子系のピコ秒領域動的挙動の測定
- 3p-BG-5 ピコ秒レーザーを用いたCuBrの発光寿命の測定
- MBE/CBE装置の試作とその特性
- 光励起による結晶成長の制御
- シランイオンビームによるSiのエッチング
- 4a-DR-7 共鳴二光子励起下のCuCl励起子分子ポラリトン系のピコ秒領域動的挙動の測定II
- 絶縁物基板上のシリコン単結晶薄膜
- イオンエッチング法でブレーズされたホログラフィックグレーティングの製作
- Ge蒸着膜の結晶化(第2報) : 薄膜・応用電子物性シンポジウム
- 31p GF-5 ピコ秒トランジェントグレーティング法によるCuCl, CdS素励起の拡散の測定 (I)
- 31p GF-4 ピコ秒可変波長レーザーを用いたポラリトンの分散の測定
- 6a-A-10 色素レーザーによるCdTeの発光測定
- Ti蒸着膜の電気的特性(III) : 表面物理, 薄膜
- Ni-Cr蒸着膜の組成と電気特性 : 表面物理, 薄膜
- 電子ビーム微細加工装置
- 電子ビーム励起によるレーザー : 電子ビームとその応用シンポジウム
- II-VI化合物の電子線励起レーザー (II) : イオン結晶・光物性
- 薄膜能動素子の基礎研究(第三報) : トンネル効果型三極素子 : 薄膜・応用電子物性シンポジウム
- 3a-C-2 CuC1薄膜内の励起子と励起子分子(イオン結晶・光物性)
- 3p-B1-1 パラ水素をもちいたCO_2レーザー光の波長変換(3p B1 量子エレクトロニクス,表面・界面)
- 3a-D5-10 GaAs/GaAlAs多重量子井戸からの発光の時間変化(3a D5 イオン結晶・光物性(励起子・ポラリトン・ピコ秒分光),イオン結晶・光物性)