シランイオンビームによるSiのエッチング
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概要
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For etching, the ion beam produced by silane gas discharge is irradiated on the Si substrate.<BR>In vertical incidence of the ion beam on Si, the film is deposited up to 3 kV which is the maximum acceleration voltage in the apparatus. By changing the angle of beam incidence θ, ethcing is possible. The maximum etching rate is 6.8 Å/min at the beam intensity of 20 μA/cm<SUP>2</SUP>, the acceleration voltage of 1 kV and θ ≈ 65°. The value is 1.4 times larger than the maximum etching rate in the use of Ar ion beam at the same beam intensity and acceleration voltage. At θ=65 °, Si is etched at the acceleration voltage above about 500 V.
- 日本真空協会の論文
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