河津 璋 | 東大工
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概要
関連著者
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河津 璋
東大工
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吉村 雅満
豊田工業大学ナノハイテクリサーチセンター
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吉村 雅満
東大工
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坂間 弘
東大・院理・化学、東大・院工・物理工学、京大・理・化学
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吉村 雅満
豊田工大
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坂間 弘
東大工
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西片 一昭
東大工
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重川 秀実
筑波大学物理工学系
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重川 秀実
Univ. Tsukuba Tsukuba
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Shigekawa Hidemi
Institute Of Applied Physics And Crest Japan Science And Technology Corporation (jst) University Of
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影島 賢巳
東大工
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塩田 隆
東大工
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重川 秀実
筑波大物質工
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荒 則彦
理研・国際フロンティア
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荒 則彦
東大工
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難波 進
理研
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村上 健一
東大工
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松本 益明
東大工
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松本 益明
東大、工
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難波 進
理化学研究所
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河津 璋
理化学研究所
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森 初果
東大物性研
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森 初果
超伝導工学研
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斉藤 軍治
東大物性研
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矢持 秀起
京大理
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矢持 秀起
東大物性研
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西片 一昭
古河電工横浜研究所半導体研究センター
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清水 均
東大工
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武内 修
東大工
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河津 璋
東京大学工学部物理工学科
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河津 璋
東京大学工学系研究科
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ハ瀬 清志
産業技術総合研究所光技術研究部門
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秋本 利明
理化学研究所
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前田 康二
東大工
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南 信次
物質研
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川端 和重
出光興産中研
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斉藤 軍治
京大理
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窪田 政一
東大物性研
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村田 好正
東大物性研
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大島 雅史
日本カーリット
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斉藤 芳男
高エネ研
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栃原 浩
東大物性研
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朝日 一
東大工
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上田 一之
豊田工業大学 ナノハイテクリサーチセンター
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魚住 清彦
東大工
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金原 粲
東大工
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大島 雅史
東大物性研
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吉村 雅満
広島大学工学部
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坂間 弘
上智大理工
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菅 義夫
東大工
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柘植 弘志
東大工
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国松 大介
東大工
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上田 一之
阪大工
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根城 均
日本IBM
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小出 昭夫
日本IBM
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根城 均
物質材料研究機構
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根城 均
物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
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根城 均
金材技研
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岡田 正和
広島大学生物生産学部
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Kazaoui Said
通商産業省工業技術院物質工学工業技術研究所
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候 建国
中国科技研
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井上 茂
東大生研
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八瀬 清志
広島大生物生産
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岡田 正和
広島大生物産
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加藤 則彦
理研フロンティア
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川端 和重
出光中研
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柘植 浩志
東大工
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八瀬 清志
通商産業省工業技術院物質工学工業技術研究所
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辰巳 夏生
東大生研
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西口 哲也
東大工
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川口 善也
東大工
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八瀬 清志
工技院・物質研
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鈴木 聡子
トプコン(株)アプリケーションセンター
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加藤 則彦
理研
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大宮 敏敷
上智大理工
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黄 守訓
理化学研究所
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南 信次
通商産業省工業技術院物質工学工業技術研究所
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荒 則彦
東京大学工学部物理工学料
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渡辺 和幸
東大工
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根城 均
新技術事業団青野原子制御表面プロジェクト
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河津 璋
東大・工
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遠藤 陽一郎
東大工
著作論文
- 5p-R-8 エピタキシャルBi薄膜のトンネル効果
- 2p-K-2 有機伝導体(BEDT-TTF)_2X(X=I_3,KHg(SCN)_4,(NH_4)Hg(SCN)_4)表面のSTM観察
- 2p-K-1 有機超伝導体(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2表面のSTMによる研究
- 30a-ZF-6 V族金属吸着によるSi(111)再構成表面の研究
- 30p-BPS-8 グラファイト上に真空蒸着したTTF-TCNQ表面のSTM観察
- 30p-BPS-1 STM・LEEDによるBi/Si(111)?X?構造の研究
- 3a-K-1 マイカ上に真空蒸着したTTF-TCNQ表面のSTM観察
- 29p-ZF-3 STMによる有機導電体薄膜の観察
- 5p-T-10 In/Si(111)の等温、昇温脱離
- 5p-T-6 LEEDによるSi(111)√×√-Alの構造解析
- 6a-B4-2 低速電子線回折法によるSi(111) : Al吸着相の研究
- 25a-N-10 一次元有機伝導体における電荷密度波のSTMによる研究
- 7a-PS-14 Si(100)上のAuの成長
- 30a-PS-2 Si(001)表面上のAgの吸着
- 27p-ZS-8 III族原子吸着Si(100)再配列表面の研究
- 27a-ZS-3 Si(111)√x√-A1のテンソルLEEDによる構造解析
- 30p-BPS-21 Al、In/si(100)のLEEDによる研究
- 30a-ZD-6 テンソルLEEDによるAl/Si(111)表面超構造の研究
- 走査型プローブ顕微鏡による有機伝導体薄膜の表面観察
- シリコン単結晶薄膜(VIII) : 薄膜
- CdS蒸着膜の電気的特性 : 表面物理, 薄膜
- シリコン単結晶薄膜(II) : 表面物理, 薄膜
- CdS蒸着膜の電気的特性(2) : 表面物理, 薄膜
- 31p-YK-12 C_/Si(111)-7x7ヘテロエピタキシャル膜表面拡張欠陥のSTM観察
- 29aB6 C60超薄膜の核発生と成長機構(有機結晶I)
- 30a-ZD-3 Si(111)?×?-AgのLEEDによる研究
- 3a-Q-9 テンソルLEED法の信頼性
- 26a-Y-13 Si(110)表面上のIn吸着構造のLEEDによる研究
- 30p-BPS-20 Si(111)2×1のLEEDによる解析
- 1p-S-1 Si(111)√×√-GaのLEEDによる構造決定
- 1a-S-4 Si(111)2×1構造のLEEDによる研究
- 分子線蒸着法による有機超薄膜作製と構造評価 : TTF-TCNQ錯体薄膜の構築 : 有機結晶(一般)I
- 薄膜・表面物理分科会
- 3a-F4-8 低速電子回折法によるSi(111)√3x√3-Agの研究(2)(表面・界面)
- 3a-F4-9 Si(111)-Ag吸着相の低速電子回折強度変化による研究(表面・界面)