3a-F4-9 Si(111)-Ag吸着相の低速電子回折強度変化による研究(表面・界面)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 1988-03-31
著者
関連論文
- 5p-R-8 エピタキシャルBi薄膜のトンネル効果
- 2p-K-2 有機伝導体(BEDT-TTF)_2X(X=I_3,KHg(SCN)_4,(NH_4)Hg(SCN)_4)表面のSTM観察
- 2p-K-1 有機超伝導体(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2表面のSTMによる研究
- 30a-ZF-6 V族金属吸着によるSi(111)再構成表面の研究
- 30p-BPS-8 グラファイト上に真空蒸着したTTF-TCNQ表面のSTM観察
- 30p-BPS-1 STM・LEEDによるBi/Si(111)?X?構造の研究
- 3a-K-1 マイカ上に真空蒸着したTTF-TCNQ表面のSTM観察
- 29p-ZF-3 STMによる有機導電体薄膜の観察
- 6p-T-1 時間分解型LEED装置の製作
- 5p-T-10 In/Si(111)の等温、昇温脱離
- 5p-T-6 LEEDによるSi(111)√×√-Alの構造解析
- 6a-B4-2 低速電子線回折法によるSi(111) : Al吸着相の研究
- 25a-N-10 一次元有機伝導体における電荷密度波のSTMによる研究
- 7a-PS-14 Si(100)上のAuの成長
- 30a-PS-2 Si(001)表面上のAgの吸着
- 27p-ZS-8 III族原子吸着Si(100)再配列表面の研究
- 27a-ZS-3 Si(111)√x√-A1のテンソルLEEDによる構造解析
- 30p-BPS-21 Al、In/si(100)のLEEDによる研究
- 30a-ZD-6 テンソルLEEDによるAl/Si(111)表面超構造の研究
- 走査型プローブ顕微鏡による有機伝導体薄膜の表面観察
- シリコン単結晶薄膜(VIII) : 薄膜
- CdS蒸着膜の電気的特性 : 表面物理, 薄膜
- シリコン単結晶薄膜(II) : 表面物理, 薄膜
- CdS蒸着膜の電気的特性(2) : 表面物理, 薄膜
- 31p-YK-12 C_/Si(111)-7x7ヘテロエピタキシャル膜表面拡張欠陥のSTM観察
- 29aB6 C60超薄膜の核発生と成長機構(有機結晶I)
- 30a-ZD-3 Si(111)?×?-AgのLEEDによる研究
- 3a-Q-9 テンソルLEED法の信頼性
- 26a-Y-13 Si(110)表面上のIn吸着構造のLEEDによる研究
- 30p-BPS-20 Si(111)2×1のLEEDによる解析
- 1p-S-1 Si(111)√×√-GaのLEEDによる構造決定
- 1a-S-4 Si(111)2×1構造のLEEDによる研究
- 分子線蒸着法による有機超薄膜作製と構造評価 : TTF-TCNQ錯体薄膜の構築 : 有機結晶(一般)I
- 薄膜・表面物理分科会
- 3a-F4-8 低速電子回折法によるSi(111)√3x√3-Agの研究(2)(表面・界面)
- 3a-F4-9 Si(111)-Ag吸着相の低速電子回折強度変化による研究(表面・界面)