西片 一昭 | 東大工
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概要
関連著者
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西片 一昭
東大工
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河津 璋
東大工
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吉村 雅満
東大工
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吉村 雅満
豊田工業大学ナノハイテクリサーチセンター
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吉村 雅満
豊田工大
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松本 益明
東大工
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松本 益明
東大、工
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村上 健一
東大工
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重川 秀実
筑波大物質工
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重川 秀実
筑波大学物理工学系
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坂間 弘
東大・院理・化学、東大・院工・物理工学、京大・理・化学
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重川 秀実
Univ. Tsukuba Tsukuba
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Shigekawa Hidemi
Institute Of Applied Physics And Crest Japan Science And Technology Corporation (jst) University Of
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坂間 弘
東大工
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西片 一昭
古河電工横浜研究所半導体研究センター
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清水 均
東大工
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窪田 政一
東大物性研
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村田 好正
東大物性研
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栃原 浩
東大物性研
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塩田 隆
東大工
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柘植 弘志
東大工
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川津 璋
東大工
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柘植 浩志
東大工
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遠藤 陽一郎
東大工
著作論文
- 6p-T-1 時間分解型LEED装置の製作
- 5p-T-10 In/Si(111)の等温、昇温脱離
- 5p-T-6 LEEDによるSi(111)√×√-Alの構造解析
- 6a-B4-2 低速電子線回折法によるSi(111) : Al吸着相の研究
- 27p-ZS-8 III族原子吸着Si(100)再配列表面の研究
- 27a-ZS-3 Si(111)√x√-A1のテンソルLEEDによる構造解析
- 30p-BPS-21 Al、In/si(100)のLEEDによる研究
- 30a-ZD-6 テンソルLEEDによるAl/Si(111)表面超構造の研究
- 30a-ZD-3 Si(111)?×?-AgのLEEDによる研究
- 3a-F4-8 低速電子回折法によるSi(111)√3x√3-Agの研究(2)(表面・界面)
- 3a-F4-9 Si(111)-Ag吸着相の低速電子回折強度変化による研究(表面・界面)