熱電子励起プラズマスパッタ法による低比抵抗ITO膜形成とそのメカニズム(センサデバイス・MEMS・一般)
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概要
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熱電子励起プラズマスパッタ法で作製した非加熱ガラス基板上および加熱(260℃)ガラス基板上のITO膜の電気特性を膜厚の関数として調べた.加熱基板上において,2.1×10^<21>cm^<-3>の高いキャリア密度による9.7×10^<-5>Ωcmの低比抵抗ITO膜が得られた.多くの酸素空孔を含む結晶性の初期成長層が,厚膜における効果的な酸素空孔形成と,それによる高いキャリア密度をもたらし,結果として低比抵抗ITO膜成長を導くテンプレートとして振舞うことがわかった.
- 2007-09-14
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