ポリジメチルシラン及びポリジヘキシルシラン薄膜の構造と物性(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)

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概要

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ポリジメチルシラン及びポリジヘキシルシランを、それぞれ、真空蒸着法及びキャスト法により薄膜化し、X線回折等により、その主鎖の配向性を調べた。ポリジメチルシラン薄膜の配向性は真空蒸着時の薄膜成長速度、基板温度、及び真空度などを変化させることにより制御することが出来る。キャスト法により作製したポリジヘキシルシラン薄膜の配向性を調べた結果、主鏡は基板表面に対し平行になっていることが分かった。本研究では、ポリジメチルシラン及びポリジヘキシルシランの分子構造を念頭に置き、その理由についても考察する。また、ポリジメチルシラン薄膜の電気的特性も調べたので、それらの結果についても報告する。
社団法人電子情報通信学会の論文
2006-06-23

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