安田 敬 | 九州工大 情報工
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
安田 敬
九州工大 情報工
-
安田 敬
九工大情報
-
安田 敬
九州工業大学・大学院情報工学研究院
-
安田 敬
九工大・情報工
-
安田 敬
九州工業大学
-
安田 敬
九工大 大学院情報工学研究院
-
古川 昌司
九州工業大学・大学院情報工学研究科
-
古川 昌司
九州工業大学
-
安田 敬
九工大情報工
-
大多 英隆
九州工業大学
-
大多 英隆
九州工業大学・大学院情報工学研究科
-
荒川 等
九州工業大学
-
松下 照男
九工大・情報工
-
荒川 等
九州工業大学・大学院情報工学研究科
-
小田部 荘司
九工大・情報工
-
高野 脩三
九工大情報工
-
木内 勝
九工大・情報工
-
岡安 悟
原研
-
岡村 和憲
九工大・情報工
-
高本 智基
九州工業大学・大学院情報工学研究科
-
和田 浩志
九工大・情報工
-
中島 健介
山形大学大学院理工学研究科
-
山下 努
東北大未来セ
-
中島 健介
弘前大学理工学部
-
山下 努
東北大学電気通信研究所
-
山下 努
弘前大学理工学部
-
山下 努
弘前大理工
-
川江 健
東北大学電気通信研究所
-
坊野 敬昭
富士電機アドバンストテクノロジー
-
坊野 敬昭
富士電機
-
中島 健介
山形大学大学院・理工学研究科
-
岸尾 光二
東大工
-
下山 淳一
東大工
-
中島 健介
東北大学電気通信研究所
-
山下 努
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
王 鎮
情報通信研究機構
-
甲木 昭彦
九州工業大学・大学院情報工学研究科
-
斗内 政吉
阪大レーザー研
-
小田部 荘司
九工大情報工
-
内田 智史
東大院工
-
井口 家成
東京工業大学大学院理工学研究科物性物理学専攻
-
井口 家成
東大工理
-
井口 家成
東工大理
-
内山 哲治
東工大・理工
-
井口 家成
東工大・理工
-
西田 昭彦
福岡大理
-
内山 哲治
東工大・理
-
内山 哲治
東京工業大学大学院理工学研究科物性物理学専攻
-
内田 智史
東大工
-
高 千寿
福岡大学理学部応用物理学科
-
高 千寿
福岡大理
-
岩熊 成卓
九大院・シス情
-
坊野 敬昭
富士電機・総合研究所
-
斗内 政吉
通信総研関西
-
井口 家成
<東工大理>
-
斗内 政吉
阪大
-
井口 家成
物質・材料研究機構 ナノマテリアル研
-
和田 健太郎
九州工業大学・大学院情報工学研究科
-
淡路 智
東北大金研強磁場センター
-
宝来 和巳
福岡大理
-
鍵山 大輔
九州工業大学・大学院情報工学研究科
-
西 博樹
九州工業大学・大学院情報工学研究科
-
森下 和則
九州工業大学・大学院情報工学研究科
-
林田 宜明
九州工業大学・大学院情報工学研究科
-
石井 浩司
九州工業大学・大学院情報工学研究科
-
王 鎮
通総研
-
王 鎮
通信総合研究所関西先端研究センター
-
松本 泰國
福大・工
-
斗内 政吉
大阪大学レーザー研
-
原口 輝久
九工大・情報工
-
伊東 明彦
九工大情報工
-
松本 泰國
近畿大九州工
-
寶来 和巳
福岡大理
-
森 正寿
近畿大学九州工学部
-
森 正寿
近畿大九州工
-
入江 冨士男
近畿大九州工
-
王 鎮
通信総研関西
-
石井 浩司
九州工業大学
-
宝来 和巳
福岡大・理
-
淡路 智
東北大金研
-
松下 照男
九州工業大学情報工学部
-
淡路 智
東北大学 金属材料研究所強磁場超伝導材料研究センター
-
陳 健
南京大学電子科学工学科
-
陳 健
東北大通研
-
松下 照男
九州工業大学
-
佐藤 宏樹
九州工業大学
-
中島 健介
東北大通研
-
陳 健
東北大学電気通信研究所
-
小田部 荘司
九州工業大学情報工学部電子情報工学科
-
岡田 敬治郎
九州工業大学・大学院情報工学研究科
-
岸尾 光二
東大工:jst-trip
-
大野 友寛
九州工業大学
-
川江 健
東北大通研
-
本田 大介
九州工業大学・大学院情報工学研究院
-
富岡 章
富士電機・総合研究所
-
岩熊 成卓
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
小田部 荘司
九州工業大学
-
坊野 敬昭
富士電機総研
-
王 鎮
通信総合研究所 関西先端研究センター
-
西田 昭彦
福岡大学理学部応用物理学科
-
西田 昭彦
福岡大学理学研究科応用物理学専攻
-
鵜澤 佳徳
通信総合研究所関西先端研究センター
-
OKAMURA K.
九工大・情報工
-
今田 丈貴
九工大・情報工
-
冨田 美華
九工大・情報工
-
廣田 裕二
九工大・情報工
-
右田 稔
九工大・情報工
-
斗内 政吉
通信総合研究所関西先端研究センター
-
伊東 明彦
九州工業大学情報工学部
-
高野 脩三
九州工業大学情報工学部
-
島影 尚
通信総研関西
-
川上 彰
通信総研関西
-
鵜澤 佳徳
情報通信研究機構関西先端研究センター
-
鵜沢 佳徳
通信総合研究所関西支所 超伝導研究室
-
加藤 昌二
九工大情報工
-
村上 博成
阪大超伝道フォト研
-
斗内 政吉
阪大超伝道フォト研
著作論文
- 酸化半導体を用いた3チャンネル平面型匂いセンサーの特性(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- 種々の色素を用いた色素増感太陽電池の特性
- LPE法によるBi-2212高温超伝導薄膜の作製とその固有ジョセフソン効果(センサデバイス・MEMS・一般)
- C-8-2 Bi-2212 微小固有ジョセフソン接合における帯電効果の観測
- パルス管冷凍機と可変磁場永久磁石によるBi-2212固有ジョセフソン接合の磁束フロー特性
- 低温焼成による色素増感太陽電池用酸化物半導体膜の作製に関する研究(センサーデバイス,MEMS,一般)
- 有機ポリシランの分子構造とパッキングに関する一考察(センサーデバイス・MEMS・一般)
- ポリメチルエチルシラン及びポリメチルフェニルシランの分子構造とパッキング(センサーデバイス・MEMS・一般)
- ポリジメチルシラン及びポリジヘキシルシラン薄膜の構造と物性(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- ポリジメチルシラン真空蒸着膜の光学的及び電気的特性の経時変化
- 酸化半導体を用いた3チャンネル平面型匂いセンサーの特性
- 種々の有機色素を用いた色素増感型太陽電池
- ポリシラスチレン薄膜の光学的・電気的特性に関する研究
- ポリジメチルシラン真空蒸着膜の光学的及び電気的特性の経時変化(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- 種々の有機色素を用いた色素増感型太陽電池(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- ポリシラスチレン薄膜の光学的・電気的特性に関する研究(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- LPE法によるBi-2212高温超伝導薄膜の作製とその固有ジョセフソン効果(センサデバイス・MEMS・一般)
- Bi-2212超電導体の不可逆磁界に及ぼす厚さの効果
- Bi-2212超電導体の厚さに対する磁束バンドル内の磁束数g^2の依存性
- Bi-2212薄膜における不可逆磁界の厚み依存性
- 超伝導単電子素子に関する研究 (強磁場超伝導の研究--酸化物)
- 柱状欠陥を導入したBi-2212単結晶のピンニング特性(2) : 凝縮エネルギー密度
- 柱状欠陥を導入したBi-2212単結晶のピンニング特性
- 研究成果報告:Bi-2212超伝導体のピンニング特性に及ぼす薄膜の厚さの影響
- 異方性の小さいBi-2212超電導体の凝縮エネルギー密度
- 異方性の小さいBi-2212超電導体の低温における臨界電流密度特性
- Bi-2212の凝縮エネルギー密度と超電導体の次元性の関係
- ポリジメチルシラン真空蒸着膜の光学的及び電気的特性の経時変化(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- 23aPS-17 Bi-2212単結晶のab面に平行な磁束状態のESRプローブによる研究
- 有機ポリシランの分子構造とパッキングに関する一考察(センサーデバイス・MEMS・一般)
- ポリメチルエチルシラン及びポリメチルフェニルシランの分子構造とパッキング(センサーデバイス・MEMS・一般)
- ポリジメチルシラン及びポリジヘキシルシラン薄膜の構造と物性(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- ポリジメチルシラン及びポリジヘキシルシラン薄膜の構造と物性(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 冷凍機冷却を用いた計測用1000A級小型酸化物超電導トランスの改良
- 28p-PSA-21 Bi系2212相における層間の電気伝導
- YBCO-WO_3系の超伝導性と結晶構造の関係(III)
- 31p-PS-127 YBCO-WO_3系の超伝導性と結晶構造の関係(II)
- 24aPS-49 Bi_2Sr_2CaCu_2O_単結晶における渦糸状態のESRプローブによる研究II
- 28p-PSA-32 Bi_2Sr_2CaCu_2O_単結晶における渦糸状態のESRプローブによる研究
- 冷凍機冷却を用いた交流通電損失計測用1,000A級小型酸化物超電導トランスの動作試験
- 冷凍機冷却を用いた計測用1000A級小型酸化物超電導トランスの動作試験
- 冷凍機冷却を用いた計測用1000A級小型酸化物超電導トランスの設計
- Bi単結晶を用いた平面型c軸ジョセフソン接合の作製と評価
- 酸化物高温超伝導のC軸ジョセフソン接合の作製とマイクロ波応答
- Bi-2212単結晶のc軸方向のI-V特性 II
- 28aXB-2 MO法による高温超伝導体中の磁束状態観察(II)(磁束量子系(可視化・STM・ダイナミクス))(領域8)
- 柱状欠陥を導入したBi-2212単結晶のピンニング特性
- 24aPS-42 Bi2212単結晶のc軸臨界電流と層間コヒーレンス
- 26a-PS-27 磁束液体状態におけるBi-2212相の面内及び面間電気抵抗
- 27p-APS-6 Bi系2212超伝導体単結晶の異方的電気伝導
- KClフラックス法によるBi系超伝導体の単結晶育成II
- 31p-PS-10l KCIフラックス法によるBi系超伝導体の単結晶育成