柱状欠陥を導入したBi-2212単結晶のピンニング特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2003-05-21
著者
-
安田 敬
九工大情報
-
安田 敬
九州工大 情報工
-
岡安 悟
原研
-
松下 照男
九工大・情報工
-
木内 勝
九工大・情報工
-
小田部 荘司
九工大・情報工
-
安田 敬
九工大・情報工
-
岡村 和憲
九工大・情報工
関連論文
- 酸化半導体を用いた3チャンネル平面型匂いセンサーの特性(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- 種々の色素を用いた色素増感太陽電池の特性
- 28p-YE-12 QMG-YBCOの照射効果
- 25aXE-10 超伝導体磁束格子で調べた摩擦現象における動的相転移(25aXE 非平衡基礎論I(分子機械・相転移),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 25pXL-3 駆動された超伝導体磁束格子の摩擦現象における静摩擦と動摩擦のクロスオーバー(超電導・電荷密度波,領域6(金属,超低音,超電導・密度波))
- 28aXB-10 重イオン照射した高温超伝導体の磁束系における摩擦の物理の研究(磁束量子系(可視化・STM・ダイナミクス))(領域8)
- LPE法によるBi-2212高温超伝導薄膜の作製とその固有ジョセフソン効果(センサデバイス・MEMS・一般)
- C-8-2 Bi-2212 微小固有ジョセフソン接合における帯電効果の観測
- パルス管冷凍機と可変磁場永久磁石によるBi-2212固有ジョセフソン接合の磁束フロー特性
- 低温焼成による色素増感太陽電池用酸化物半導体膜の作製に関する研究(センサーデバイス,MEMS,一般)
- 有機ポリシランの分子構造とパッキングに関する一考察(センサーデバイス・MEMS・一般)
- ポリメチルエチルシラン及びポリメチルフェニルシランの分子構造とパッキング(センサーデバイス・MEMS・一般)
- ポリジメチルシラン及びポリジヘキシルシラン薄膜の構造と物性(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- ポリジメチルシラン真空蒸着膜の光学的及び電気的特性の経時変化
- 酸化半導体を用いた3チャンネル平面型匂いセンサーの特性
- 種々の有機色素を用いた色素増感型太陽電池
- ポリシラスチレン薄膜の光学的・電気的特性に関する研究
- ポリジメチルシラン真空蒸着膜の光学的及び電気的特性の経時変化(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- 種々の有機色素を用いた色素増感型太陽電池(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- ポリシラスチレン薄膜の光学的・電気的特性に関する研究(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- 25aYA-9 走査型SQUID顕微鏡で直接観測したアモルファスMoGe円板の磁束状態(超伝導(渦糸),領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 26pWD-12 高エネルギーイオンによるAlドープZnOの物性変化(26pWD 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 19pYR-11 多結晶SiO_2膜の高エネルギーイオン照射効果:結晶粒配向整列(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 12aTG-4 酸化物の電子励起スパッタリング機構 II(放射線物理, 領域 1)
- 28pXP-4 酸化物の電子励起スパッタリング機構(放射線物理)(領域1)
- 29aXD-4 酸化物の電子励起スパッタリング率とバンドギャップ
- 28aXB-1 走査型SQUID顕微鏡による微小超伝導体の磁束観察II(磁束量子系(可視化・STM・ダイナミクス))(領域8)
- 28pYB-2 走査型 SQUID 顕微鏡による微小超伝導体の磁束観察
- 13aPS-14 局所交流透磁率測定による Bi_2Sr_2CaCu_2O_ 単結晶の交差磁束状態の研究(低温 : 超伝導・金属絶縁体転移, 領域 8)
- LPE法によるBi-2212高温超伝導薄膜の作製とその固有ジョセフソン効果(センサデバイス・MEMS・一般)
- Bi-2212超電導体の不可逆磁界に及ぼす厚さの効果
- Bi-2212超電導体の厚さに対する磁束バンドル内の磁束数g^2の依存性
- Bi-2212薄膜における不可逆磁界の厚み依存性
- 23pSC-7 重イオン照射したYBa_2Cu_3O_における1/3マッチング磁場での層間コヒーレンスの抑制
- 28a-K-12 重イオン照射したYBa_2Cu_3O_における零磁場近傍での磁化異常
- 超伝導単電子素子に関する研究 (強磁場超伝導の研究--酸化物)
- 酸素量を制御した(Bi, Pb)-2223相単結晶の超伝導特性の評価
- Bi-2223単結晶超電導体の高磁界におけるピンニング特性
- Bi-2223単結晶超電導体の凝縮エネルギー密度
- 18pXA-8 Y置換したBi2212単結晶の時間分解反射率測定
- 24aXB-4 SQUID顕微鏡で直接観測した微小超伝導体の磁束配列とピン止めの効果(24aXB 超伝導,領域6(金属,超低温超伝導・密度波))
- 21aYM-4 MgB_2中性子検出器V(X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 25aYS-1 MgB_2中性子検出器IV(X線・粒子線(X線),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 12pTJ-8 MgB_2 中性子検出器 III(X 線・粒子線 : X 線・中性子線, 領域 10)
- 19aYH-3 非双晶YBa_2Cu_3O_y単結晶の磁束状態の重イオン照射効果(磁束量子系(相図・可視化・電子状態),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25pPSA-33 重イオン照射した非双晶YBa_2Cu_3O_y単結晶の磁束状態(低温,領域8ポスターセッション,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25pSD-12 Sr_2Ru0_4の超伝導状態における重イオン照射効果
- 7p-PSB-34 (110)配向YBa_2Cu_3O_7薄膜の混合状態での局所磁場
- 柱状欠陥を導入したBi-2212単結晶のピンニング特性(2) : 凝縮エネルギー密度
- 柱状欠陥を導入したBi-2212単結晶のピンニング特性
- 研究成果報告:Bi-2212超伝導体のピンニング特性に及ぼす薄膜の厚さの影響
- 5a-PS-11 YBa_2Cu_3O_7スパッタ薄膜の磁束ピンニング特性
- 23pRH-1 InドープZnOのイオン照射効果(23pRH 放射線物理(イオンビーム照射効果・阻止能),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 定比組成に近いBi-2212超電導体の凝縮エネルギー密度
- 異方性の小さいBi-2212超電導体の凝縮エネルギー密度
- 異方性の小さいBi-2212超電導体の低温における臨界電流密度特性
- Bi-2212の凝縮エネルギー密度と超電導体の次元性の関係
- 28aXB-7 部分的重イオン照射したYBa_2Cu_3O_y膜におけるBoseグラス/磁束液体界面での磁束ダイナミクス(磁束量子系(可視化・STM・ダイナミクス))(領域8)
- 20aTN-9 YBa_2Cu_3O_y 膜における磁束チャンネルフロー中の磁束グラス転移
- 19aYB-10 重イオン照射したYBa_2Cu_3O_x膜における輸送特性の異常
- 29pZB-4 重イオン照射したYBa_2Cu_3O_7膜におけるマッチング効果とグラス転移
- 23pSC-9 部分的に重イオン照射したYBa_2Cu_3O_7膜における磁束グラス転移
- 23aTP-10 MgB_2 焼結体の磁化、臨界電流密度の圧力依存性
- ポリジメチルシラン真空蒸着膜の光学的及び電気的特性の経時変化(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- 18aYA-12 ジョセフソン・プラズマ共鳴におけるマクロな不均一の効果
- 28pZB-13 部分的に位相コヒーレンスを増大させたBi_2Sr_2CaCu_2O_のジョセフソン・プラズマ共鳴
- (Cu_C_)Ba_2Ca_Cu_nO_および(Cu_C_)_2Ba_3Ca_Cu_nO_(n=3、4)焼結体の臨界電流特性
- 23aPS-17 Bi-2212単結晶のab面に平行な磁束状態のESRプローブによる研究
- 有機ポリシランの分子構造とパッキングに関する一考察(センサーデバイス・MEMS・一般)
- ポリメチルエチルシラン及びポリメチルフェニルシランの分子構造とパッキング(センサーデバイス・MEMS・一般)
- ポリジメチルシラン及びポリジヘキシルシラン薄膜の構造と物性(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- ポリジメチルシラン及びポリジヘキシルシラン薄膜の構造と物性(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 26a-YB-4 非双晶YBa_2Cu_3O_単結晶における磁束系の相図に対する電子線照射効果II
- 30a-R-10 非双晶YBa_2Cu_3O_y単結晶における磁束系の相図に対する電子線照射効果
- 冷凍機冷却を用いた計測用1000A級小型酸化物超電導トランスの改良
- 28p-PSA-21 Bi系2212相における層間の電気伝導
- YBCO-WO_3系の超伝導性と結晶構造の関係(III)
- 31p-PS-127 YBCO-WO_3系の超伝導性と結晶構造の関係(II)
- 24aPS-49 Bi_2Sr_2CaCu_2O_単結晶における渦糸状態のESRプローブによる研究II
- 28p-PSA-32 Bi_2Sr_2CaCu_2O_単結晶における渦糸状態のESRプローブによる研究
- 6a-M-7 Bi-2212系における面間I-V特性の磁場依存性
- 29a-M-8 Bi-2212単結晶における面間臨界電流の磁場依存性
- Bi-2212単結晶の層間I-V特性の磁場依存性
- 冷凍機冷却を用いた交流通電損失計測用1,000A級小型酸化物超電導トランスの動作試験
- 冷凍機冷却を用いた計測用1000A級小型酸化物超電導トランスの動作試験
- 冷凍機冷却を用いた計測用1000A級小型酸化物超電導トランスの設計
- 29p-PS-68 Y_2Ba_4Cu_60_と(La_Sr_x)_2CuO_4の超音波吸収とフォノンモード
- Bi単結晶を用いた平面型c軸ジョセフソン接合の作製と評価
- 酸化物高温超伝導のC軸ジョセフソン接合の作製とマイクロ波応答
- Bi-2212単結晶のc軸方向のI-V特性 II
- 28aXB-2 MO法による高温超伝導体中の磁束状態観察(II)(磁束量子系(可視化・STM・ダイナミクス))(領域8)
- 柱状欠陥を導入したBi-2212単結晶のピンニング特性
- 24aPS-42 Bi2212単結晶のc軸臨界電流と層間コヒーレンス
- 26a-PS-27 磁束液体状態におけるBi-2212相の面内及び面間電気抵抗
- 27p-APS-6 Bi系2212超伝導体単結晶の異方的電気伝導
- KClフラックス法によるBi系超伝導体の単結晶育成II
- 31p-PS-10l KCIフラックス法によるBi系超伝導体の単結晶育成
- 29a-T-5 セラミック高温超伝導体における超音波吸収とフォノン分散曲線
- 29p-QD-5 Nb_3Geのhigh Tcと構造不安定性との相関
- 2p-YE-9 Bi-2212車結晶のc軸方向のI-V特性(2pYE 低温(高温超伝導・混合状態(相図,磁気緩和等)),低温)