ポリジヘキシルシランの分子構造とパッキングの温度依存性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
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概要
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今日、様々な電子デバイスの研究・開発が行われているが、これらは主に無機材料を用いて作られている。その無機材料の中でも、特に、SiやGaAsなどが多く用いられているが、純物質の生成に多量のエネルギーを消費し、廃棄する上での環境汚染も心配される。また、無機材料を用いた半導体デバイス技術にも限界が近づいてきている。そこで、無機材料に代わる新たな電子材料として有機材料が注目されている。その中で、ポリジヘキシルシランを始めとする有機ポリシランは、Si主鎖のσ電子が非局在化しており、1次元半導体性を示すという特徴から、新たな電子材料として期待されている。本研究では、ポリジヘキシルシランの基礎物性の1つである分子構造の温度依存性について調べた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-04-13
著者
-
古川 昌司
九州工業大学・大学院情報工学研究科
-
飯野 浩司
九州工業大学・大学院情報工学研究科
-
大多 英隆
九州工業大学
-
荒川 等
九州工業大学
-
大多 英隆
九州工業大学・大学院情報工学研究科
-
古川 昌司
九州工業大学
-
荒川 等
九州工業大学・大学院情報工学研究科
-
飯野 浩司
九州工業大学
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