1p-KM-5 低速イオン散乱,LEED平均化法:Ag,Au/Si(111)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1984-03-12
著者
関連論文
- 5p-T-5 ERDA/LEEDによるSi(111)-√×√ Ag表面への水素吸着
- 6a-C4-9 高速イオンビームによるSi(100)清浄表面の水素吸着量の決定
- 3a-L-8 固体表面水素による低エネルギー^4He^+イオンの散乱
- 4p-X-5 InP(110)表面における低速He^+イオンの散乱過程
- 2p-NM-6 LEED平均化強度法によるSi(III)-Pb吸着構造の解析
- 31p-J-11 LEED平均化強度法によるSi(111)-Ag吸着構造の解析
- 3a-E-12 LEED平均化強度法によるSi(111)√×√-Ag構造解析 〔I〕
- 29p-U-9 LEED平均化強度法によるSi(100)表面構造解析[I]
- 金属製精密球面グリッド製作法
- 6p-B4-2 TOF-ISSによるAg/Si(111)系表面の観察
- 29a-P-8 TOF型ICISS装置による表面構造解析[I]
- 29a-S-8 In表面における低速イオンの散乱過程
- 27p-C-9 低速アルカリイオン散乱によるSi(111)上のPb膜の解析
- 1p-S-12 低速アルカリイオン散乱によるAu/Si(111)表面構造解析
- 5p-P-4 Pb表面における低エネルギーHe^+イオンの散乱過程
- 5a-E-1 低速アルカリイオン散乱による金属/Si(111)表面の観察
- ISS-LEEDによるSi表面構造の解析(表面に特有な超格子構造の解析とその新しい方法の開発,科研費研究会報告)
- 2p-RL-5 Pb表面における低エネルギーHe^+イオンの散乱過程
- 1p-KM-5 低速イオン散乱,LEED平均化法:Ag,Au/Si(111)
- 29a-SA-6 高分解能分光法による固体表面からの低エネルギーHe^+イオンの散乱
- 27a-Y-11 ISS・LEED・AESによるSn/Si(111)系の観察
- 27a-Y-10 LEED/CMTAによる表面構造解析
- 1p-A-7 低速イオン散乱分光法(ISS)によるPd/Si(111)系表面構造の観察
- 3a-NT-6 SiおよびAl表面からのHe^+イオン(≤1.5KeV)散乱にみられる非弾性効果
- 1a-A-4 低エネルギーイオン散乱分光における諸問題
- 31p-J-13 LEED-AESによるNi/Si(111)系の表面構造の観察
- 31p-J-12 LEED, ISSによるPb/Si(111)系の超格子構造の観察
- 低速イオン散乱 (表面構造の解析手法(技術ノ-ト))
- 4a-E-1 固体表面における希ガスイオンの中性化過程III:電子相関効果
- 3p-E-3 低速イオン散乱分光によるSi(111)面上のAg薄膜の初期成長過程
- 3a-E-10 金属シリサイドの表面構造に関する研究
- 2a-D-4 Si(111)表面における低エネルギーNe^+イオンの散乱(III)
- 29p-U-11 固体表面における低速イオンの中性化確率
- 29p-U-5 Si(111)-√3Ag表面の光電効果
- 29a-F-11 Si表面における低エネルギーNe^+イオンの散乱(II)
- 2p-Q-4 Si(111)√3-Ag 表面構造のLEED,AES,ISSによる観察
- 2p-Q-3 LEED-AESによるSi(111)面上のPd及びPt薄膜の研究
- 2a-Q-1 固体表面吸着原子によるイオン散乱の理論
- 2p GD-12 Si表面における低エネルギーNe^+イオンの散乱
- 低速イオン散乱分光装置
- 小型イオン加速器の発展
- アブストラクト
- 3a-E-2 金属表面上の吸着原子間の相互作用 I
- 30p-TJ-6 TOF-ICISSスペクトルにおける多重散乱の影響(30pTJ 表面・界面)
- 30p-CH-7 Si(111)表面における低速He^+イオンの中性化と非弾性散乱(放射線物理,第41回年会)
- 1p-A2-4 Na^+-ICISSによるAg/Si(111)表面構造(1p A2 表面・界面,量子エレクトロニクス)