首藤 健一 | 横浜国大工
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概要
関連著者
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首藤 健一
横浜国大工
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田中 正俊
横浜国大工
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田中 正俊
横浜国立大学大学院工学府物理情報工学
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首藤 健一
横国大工
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大野 真也
横国大工
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大野 真也
横浜国大工
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首藤 健一
横浜国立大学工学部知能物理工学科
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大野 真也
横浜国立大学工学部知能物理工学科
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小泉 順也
横浜国大工
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鈴木 隆則
防衛大
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三戸部 史岳
横浜国大工
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滝澤 純一
横浜国大工
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青木 優
東大院総合文化
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桐村 知行
横浜国大工
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青木 優
東大院総合
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牛山 翔太
横浜国大工
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増田 茂
東大院総合文化
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原沢 あゆみ
東大物性研
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奥田 太一
東大物性研
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柿崎 明人
東大物性研
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石川 哲也
SPring-8 理研
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田中 義人
理化学研究所X線自由電子レーザー計画推進本部
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首藤 健一
理研
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田中 義人
SPring-8
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石川 哲也
理化学研究所放射光科学総合研究センター
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増田 茂
東大教養
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落合 俊之
横国大工
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田中 正俊
横国大工
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田中 義人
(独)理化学研究所播磨研究所 放射光科学総合研究センター
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山崎 紀明
横国大工
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中山 史人
横国大工
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寅丸 雅光
横浜国大工
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山崎 紀明
横浜国大工
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中山 史人
横浜国大工
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寅丸 雅光
横浜国立大学工学府
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落合 俊之
横浜国大工
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為谷 亮太
横浜国大工
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石川 哲也
(独)理化学研究所・播磨研究所・放射光科学総合研究センター
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桐村 知行
横浜国大工:spring-8
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母袋 雄也
横浜国大工
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増田 茂
東大院総合
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石川 哲也
理研
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松田 巌
東大物性研
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市川 雄一
理研
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福谷 克之
東大生研
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十河 真生
東大院総合文化
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田中 義人
理研播磨
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片山 郁文
横国大IRC
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原沢 あゆみ
東京大学物性研究所
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林 雄二郎
(独)理化学研究所 播磨研究所 放射光科学総合研究センター
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林 雄二郎
横浜国大工
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田中 正俊
理研
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田中 義人
横浜国大工
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田中 正俊
SPring-8
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白尾 徹郎
理化学研究所播磨研究所X線干渉光学研究室
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青木 健志
横浜国立大学工学府
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武田 淳
横浜国大工
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田中 義人
理研
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松田 厳
東大物性研
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飯田 貴則
横浜国大工
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佐藤 和成
横浜国大工
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青木 健志
横浜国大工
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市川 雄一
横浜国大工
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山崎 貴彦
横浜国大工
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佐藤 和成
横浜国立大学工学府
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飯田 貴則
横浜国立大学工学府
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小間 大弘
横国大工
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九鬼 隆良
横国大工
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九鬼 隆良
横浜国大工
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奥田 太一
広島大学放射光科学研究センター
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杉本 征之
横浜国大工
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山川 恵利子
横浜国大工
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白尾 徹郎
横浜国大工
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佐藤 博史
東大院総合文化
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大和 洋太
横浜国大工
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小間 大弘
横浜国大工
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大和 洋太
横浜国立大学工学府物理情報工学専攻
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藻川 芳晴
横浜国大工
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北島 正弘
防衛大
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益田 茂
東大院総合文化
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藻川 芳晴
横浜国立大学大学院工学府
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片山 郁文
横浜国大工
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土井 幸司郎
横浜国大工
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小出 常晴
高エ研
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金間 大介
横浜国大工
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白尾 徹郎
理研:横国大工
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林 雄二郎
SPring-8/理研
著作論文
- 13aXF-14 塩素吸着 Si(111) 表面における紫外光励起脱離の飛行時間測定(表面界面ダイナミクス : シリコン・ダイヤモンド, 領域 9)
- 28pWR-4 ピコ秒紫外レーザー照射による塩素吸着Si(111)表面の新しい光励起脱離の特性(表面界面ダイナミクス(電子励起・摩擦))(領域9)
- 22aXA-5 酸素吸着Ti/Si(001)表面の構造と電子状態(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pPSB-56 Si(001)表面におけるO_2,NO,CO反応過程の反射分光による検討(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSB-3 Si(001)表面上の銀薄膜成長過程のリアルタイム反射分光(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pTD-4 表面光反射分光によるSi(001)表面反応の解析(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSA-77 Si(001)表面における電子線励起欠陥形成過程の実時間反射分光(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24pXJ-11 Ti/Si(001)表面における拡散過程の解析(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aPS-48 表面差分反射分光法によるSi(001)酸化過程における温度依存性の測定(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pWX-2 Pt(111)基板に接合したチオフェン,ビチオフェンの局所電子状態(23pWX 表面界面電子物性(有機分子),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 19pPSB-48 光反射分光によるSi(111)表面での臭素吸着・脱離過程の観測
- 21aPS-33 Si(111)表面上のハロゲン吸着におけるサイト選択性(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-26 酸素吸着Si(001)表面光反射スペクトルのクラスター計算による検討(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-21 イオン衝撃グラファイト表面の電子状態(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aHA-5 イオン衝撃によるグラファイト表面の半金属-金属転移(22aHA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pBL-12 ベンゼンチオールのコヒーレント振動の金表面吸着による変化(26pBL 超高速現象,領域5(光物性))
- 6pPSB-31 昇温脱離法(TDS)を用いたタングステン単結晶(001)表面における窒素吸着の研究(表面界面結晶成長,領域9)