高分解能スピン分解光電子分光装置の開発と表面ラシュバ効果の研究

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

著者

• 高山 あかり

  東北大院理

関連論文

• 23pHL-9 ミニモット検出器を用いたスピン分解光電子分光装置の開発:III(23pHL 光電子分光(表面・薄膜・低次元物質・新分光法),領域5(光物性))
• 20pGQ-1 Bi薄膜の超高分解能スピン分解ARPES(20pGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pGF-7 CeRu_2Al_のキセノンプラズマ励起光電子分光(23pGF Ce系籠状物質,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 20aQF-10 キセノンプラズマ発光によるYb_4As_3の高分解能光電子分光(20aQF Yb化合物他,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 27aYG-4 ミニモットスピン検出器の開発とV族半金属表面のRashba効果の観測(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27pYE-6 グラフェンの高品質化と高分解能ARPES(グラフェン電子物性(形成と評価),領域7,分子性固体・有機導体)
• 26pXA-9 ミニモット検出器を用いたスピン分解光電子分光装置の開発:II(新分光法,MCD/MLD,領域5,光物性)
• 30aVA-2 鉄系高温超伝導体Ba_K_xFe_2As_2の超伝導ギャップの直接観測 : 高分解能ARPES(30aVA 光電子分光(超電導・強相関・磁性),領域5(光物性))
• 28aYH-6 単層および多層グラフェンの作成と高分解能ARPES(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 30aVA-10 ミニモット検出器を用いたスピン分解光電子分光装置の開発(30aVA 光電子分光(超電導・強相関・磁性),領域5(光物性))
• 26aWJ-11 CeSbの微細電子構造 : キセノンプラズマ発光ARPES(26aWJ f電子系一般・アクチナイド,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 25aWX-3 Bi(111)表面のスピン分解微細電子構造(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pRG-2 ミニモット検出器を用いたスピン分解光電子分光装置の開発:IV(23pRG 光電子分光・放射光真空紫外分光・MCD・X線発光,領域5(光物性))
• 30aVA-7 キセノンプラズマ発光ARPESによるCeSbのバンド構造の温度変化(30aVA 光電子分光(超電導・強相関・磁性),領域5(光物性))
• 21aYG-8 キセノンプラズマ発光によるCeSbの高分解能ARPES(21aYG 放射光・分光・回折・光電子分光,領域5(光物性))
• 24pRE-9 Bi_Sb_x(x=0.023)の高分解能ARPES(24pRE 光電子分光(表面・薄膜・低次元系),領域5(光物性))
• 26aTH-8 Bi(111)表面における特異なRashba効果 : 高分解能スピン分解ARPES(26aTH 領域9,領域4,領域5合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pTR-11 スピン分解ARPESによるBi_2Te_3の表面スピンz成分の直接観測(23pTR トポロジカル絶縁体(電子相関・分光),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aHA-8 高分解能スピン分解ARPESによるBi薄膜における異方的Rashba分裂の観測(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 高分解能スピン分解光電子分光装置の開発と表面ラシュバ効果の研究
• 高分解能スピン分解光電子分光装置の開発と表面ラシュバ効果の研究
• 24pCK-3 Bi/Si(111)薄膜における表面電子スピン偏極度の膜厚依存性(24pCK 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aEA-9 TlBi(S,Se)_2のスピン分解ARPES(20aEA トポロジカル絶縁体(理論・新物質),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 18pFE-6 Sb薄膜のスピン分解ARPES(18pFE 表面界面電子物性・トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aFJ-12 Tl系トポロジカル絶縁体の量子相転移近傍におけるスピン依存電子構造(20aFJ 光電子分光,領域5(光物性))
• 25aJA-9 高分解能ARPESによるBi/Si(111)表面の特異な電子状態(トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク