2p-YK-5 層状化合物(C_nH_<2n+1>NH_3)_2CdCl_4の吸収端スペクトル

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1998-03-10

著者

• 大西 彰正

  山形大理

• 吉成 武久

  山形大理

• 田中 健一

  山形大 理

• 大西 彰正

  山形大 理

• 吉成 武久

  山形大 理

• 田中 健一

  福井大工

関連論文

• 28p-YM-9 (C_nH_NH_3)_2CdCl_4;n=1, 2, 3における固有発光
• 20aYD-7 電荷密度波物質1T-TaS_2の角度分解逆光電子分光(20aYD 放射光・光電子(表面・薄膜・低次元物質),領域5(光物性))
• 23pZA-5 層間化合物Fe_xTiSe_2単結晶における輸送特性と超構造の安定性(23pZA 電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 21pYD-1 層状物質TiSe_2の光電子分光II(光電子分光・逆光電子分光,領域5(光物性))
• 22pPSA-79 CDW物質η-Mo_4O_の特異な量子ホール効果と磁場誘起Shubnikov-de Haas振動(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aPS-31 層状物質TiSe_2の光電子分光(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 27pYK-6 ゼロギャップ近傍における巨大過渡Nernst-Ettingshausen効果(27pYK 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 20pYJ-8 3d遷移金属層間化合物M_xTiSe_2単結晶における特異な磁気抵抗効果(20pYJ 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 20pYJ-7 3d遷移金属層間化合物M_xTiSe_2単結晶における超構造の抑制と抵抗異常(20pYJ 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 20aPS-15 バルク量子ホール系の示す量子ネルンスト効果(20aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aTH-10 層状物質η-Mo_4O_が示すパルス強磁場下でのカイラル表面状態(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25aXJ-4 β-FeSi_2における異常Hall効果(25aXJ 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aPS-75 ゼオライト細孔内CdI_2クラスターの光吸収スペクトル(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 25pPSA-7 β-FeSi_2単結晶における特異な磁化特性(25pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22pPSA-73 強磁場下におけるβ-FeSi_2単結晶の磁気輸送特性(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 14aXE-11 NiS 単結晶における M-I 転移と過渡熱起電力効果(溶融塩, 金属結合, 合金, 領域 6)
• 12pTM-1 TiSe_2 単結晶における CDW 転移と過渡熱起電力効果 II(電荷密度波, 領域 6)
• 13pPSA-61 ZnO ナノ微粒子の作製と光スペクトル(領域 5)
• 12pPSA-10 3d 遷移金属層間化合物 M_xTiSe_2 単結晶における過渡熱起電力効果(領域 4)
• 29aZK-10 シリコンにおける過渡熱起電力効果 : 励起エネルギー依存性 II
• 29aZK-9 β-FeSi_2 単結晶における過渡熱起電力効果 II
• 28p-P-13 中性子回折による擬2次元反強磁性体(C_3H_7NH_3)_2MnCl_4の磁気構造
• 3p-N-6 中性子回折による2次元性物質(CnH_NH_3)_2MnCl_4(n=1,2)の低温γ線照射効果(II)
• 31a-A-13 脂質二重層類似の層状結晶を用いた細胞膜の放射線損傷モデル
• 29aZK-8 ナローギャップ半導体における過渡熱起電力効果
• 29aZN-4 La_Sr_CO_4 におけるボルテックスダイナミクス
• 高温超伝導体材料におけるボルテックスのダイナミクス
• 25pRA-6 CsPbCl_3結晶における二次励起子形成過程
• 23pM-8 二次元物質エチルアンモニウム臭化カドミウムの反射スペクトル
• 26pYC-15 層状物質(C_2H_5NH_3)_2CdCl_4の偏光反射スペクトル
• 2p-YK-5 層状化合物(C_nH_NH_3)_2CdCl_4の吸収端スペクトル
• 2a-YG-8 筒状有機分子シクロデキストリン中のアントラセン(C_H_)の光吸収
• 1次元性結晶CsMnCl_3.2H_2Oにおける光誘起金属析出
• 1p-Y-14 シクロデキストリン中のSnI_4クラスターの反射スペクトル
• 5a-B-8 不整合γ相(C_3H_7NH_3)_2CuCl_4のδ-γ構造相転移におけるX線散浸散乱
• 27p-S-6 不整合γ相(C_3H_7NH_3)_2MCl_4(M=Mn, Cu)のX線散漫散乱
• 27p-S-5 不整合ε相(C_3H_7NH_3)_2CuCl_4の結晶構造解析
• 5a-B-7 δ,ε-(C_3H_7NH_2)_2MCl_4 M=Mn,Cuの基本構造の比較
• 30p-L-4 層状ペロブスカイト型化合物(C_3H_7NH_3)_2CuCl_4 ε不整合相のX線解析
• 27pPSA-31 二次元三角格子反強磁性体HCrO_2の核磁気共鳴(領域3ポスターセッション(量子スピン系・フラストレーション系等),領域3,磁性,磁気共鳴)
• 1p-KC-5 中性子回折による擬2次元反強磁性体(C_2H_5NH_3)_2MnCl_4の磁気構造
• 28a-D-1 二次元性イオン結晶(CnH_NH_3)_2MX_4の反射スペクトル
• 25aPS-96 放射光光電子分光によるβ-FeSi_2単結晶の電子状態研究(25aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・真空紫外分光・軟X線発光),領域5(光物性))
• 27a-E-17 二次元性イオン結晶(CnH_NH_3)_2MCl_4:n=1, 2;M=Mn, Cdにおける色中心生成V
• 1a-A-4 二次元性イオン結晶(CnH_NH_3)_2MCL_4;n=1,2:M=Mn,Cdにおける色中心生成III
• 5a-TC-10 2次元性イオン結晶(C_nH_NH_3)_2MCl_4;n=1,2;M=Mn,Cdにおける色中心生成
• 30a-L-8 [N(CH_3)_4]_2CoCl_4の吸収測定
• 3p-F-7 準2次元反強磁性体(CnH_NH_3)_2MnCl_4の弱強磁性
• 3p-L-16 準2次元反強磁性体(C_3H_7NH_3)_2MnCl_4の反対称交換相互作用
• 17aRF-17 シクロデキストリン中のアントラセン・ダイマーのエキシマー状態 I : 実験
• 30pPSA-43 フルオレンの単結晶及び単一分子の電子状態
• 30pPSA-42 ビチオフェンとターチオフェンの単結晶及び単一分子の電子状態
• 17aRF-16 シクロデキストリン中のアントラセン擬似孤立単一分子状態
• 17aRF-18 シクロデキストリン中のアントラセン・ダイマーのエキシマー状態 II : 理論
• 28pYF-15 有機分子結晶はなぜよく光るのか (II)
• 28p-Z-14 (C_nH_NH_3)_2CdCl_4結晶中の自己束縛励起子に対する時間分解分光II
• 29a-YN-5 (C_nH_NH_3)_2CdCl_4結晶中の自己束縛励起子に対する時間分解分光
• 電子スピン共鳴によるγ-AlON中二価マンガンの局所構造解析(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• 電子線励起紫外発光ZnAl_2O_4蛍光体の焼成条件依存性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• 電子スピン共鳴によるγ-AlON中二価マンガンの局所構造解析
• 電子線励起紫外発光ZnAl_2O_4蛍光体の焼成条件依存性
• 電子スピン共鳴によるγ-AlON中二価マンガンの局所構造解析(発光型/非発光型ディスプレイ,テーマ:ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術)
• 電子線励起紫外発光ZnAl_2O_4蛍光体の焼成条件依存性(発光型/非発光型ディスプレイ,テーマ:ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術)
• 26aPS-98 トポロジカル絶縁体Bi_2Te_3単結晶におけるDirac電子の特異な輸送特性(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aPS-97 磁性トポロジカル絶縁体における輸送特性に及ぼすフェルミエネルギーのピン止め効果(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pPSA-42 ディラック方程式を用いた微視的光学応答(25pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 25pPSA-2 新規オージェ・フリー発光物質A_2ZnCl_4(A=Cs,Rb)の真空紫外分光(25pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 23aHA-2 放射光励起角度分解光電子光法によるBi_2Te_3の電子状態研究(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pPSB-33 光電子分光によるトポロジカル絶縁体GeBi_2Te_4の表面電子状態の観測(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pPSB-11 層間原子をイオン交換した層状ペロブスカイト酸化物SrBi_2Ta_2O_9における光誘起現象(21pPSB 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 21pPSA-21 新規オージェ・フリー発光物質A_2ZnCl_4(A=Cs,Rb)の真空紫外分光II(21pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 23pPSA-34 過渡Nernst-Ettingshausen効果測定によるDirac fermionのカイラル性の解明(23pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pPSA-1 真空紫外光励起による銀ゼオライトの発光特性(24pPSA 領域5 ポスターセッション,領域5(光物性))
• 18pFE-7 時間分解光電子分光によるトポロジカル絶縁休Bi_2Te_3の励起電子ダイナミクス(18pFE 表面界面電子物性・トポロジカル表面,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pPSA-23 時間分解光電子分光によるトポロジカル絶縁体Bi_2Te_3の励起電子ダイナミクスII(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pPSB-76 A_2ZnCl_4(A=Rb,Cs)におけるオージェ・フリー発光の温度依存性(28pPSB 領域5ポスターセッション(放射光・励起子・フォトニック結晶・超高速現象ほか),領域5(光物性))
• 6pSB-2 β-FeSi_2単結晶における過渡熱起電力効果(輸送現象,励起子,アモルファス,領域4)
• 6aSF-2 シクロデキストリン中のピレン単一分子及び単結晶の光吸収スペクトル(励起子・ポラリトン・表面・薄膜,領域5)
• 31p-B2-10 二次元性イオン結晶(C_nH_NH_3)_2MX_4の反射スペクトルII(イオン結晶・光物性(SOR VUV))
• 6aSF-3 シクロデキストリン中の臭化第二スズSnBr4クラスター及び単結晶の光吸収スペクトル(励起子・ポラリトン・表面・薄膜,領域5)
• 7aQB-3 強磁性体BaIrO_3における電荷密度波転移とキャリアダイナミクス(CDW・超伝導,領域6)
• 6aSF-1 分子性1次元結晶の励起子吸収および発光スペクトルと分子振動(励起子・ポラリトン・表面・薄膜,領域5)
• 3p-B2-3 二次元性イオン結晶(C_nH_NH_3)_2MnCl_4の発光スペクトル(イオン結晶・光物性)
• 30a-LM-1 二次元性イオン結晶(CnH_NH_3)_2MCl_4:n=1,2;M=Mn,Cdにおける色中心生成 VI(イオン結晶・光物性)
• 24pPSA-34 磁場中過渡熱起電力効果法によるLSCOのボルテックスダイナミックスの解明(24pPSA 理論・高温超伝導,領域8(強相関系分野-高温超伝導,強相関f電子系など))
• 31p-T-8 2次元性イオン結晶(CnH_NH_3)_2MX_4の色中心生成(VII)(31pT 格子欠陥)
• 25pYD-10 パルス光励起プラズマ振動によるTHz光発振の計算機シミュレーション(25pYD 非線形光学・超高速現象,領域5(光物性分野))
• 1a-BH-5 二次元性イオン結晶(C_nH_NH_3)_2MCl_4:n=1,2:M=Mn,Cdにおける色中心生成IV(1a BH イオン結晶・光物性(微粒子,表面,色中心,その他))
• 29a-CF-1 中性子回折による2次元性物質(C_nH_NH_3)_2MnCl_4(n=1,2)の低温γ線照射効果(III)(29a CF X線・粒子線)
• 31p-D3-9 低温γ線照射2次元性物質(CH_3NH_3)_2MnCl_4の中性子回折(31p D3 磁性(ランダム混晶・層状化合物))
• 31a-J-7 2次元性イオン結晶(C_nH_NH_3)_2MX_4の反射スペクトル(III)(31aJ イオン結晶・光物性(SOR,VUV))
• 29p-S-5 (C_3H_7NH_3)_2MnCl_4ε不整合相の結晶構造解析(29pS 誘電体)
• 31a-PS-10 二次元性イオン結晶(C_nH_NH_3)_2MCl_4;n=1,2;M=M_n,Cdにおける色中心生成II(31a PS イオン結晶・光物性ポスターセッション(低次元・層状物質・有機物),イオン結晶・光物性)
• 26pPSB-13 シリコンにおける過渡熱起電力効果 : 励起エネルギー依存性(26pPSB,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク