岡村 総一郎 | 東理大理
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概要
関連著者
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岡村 総一郎
東理大理
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塚本 桓世
東京理科大学理学部応用物理学科
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塚元 桓世
東京理科大学理学部応用物理学科
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岡村 総一郎
東京理科大学理学部応用物理学科
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塚本 桓世
東京理科大学大学院理学研究科
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安藤 靜敏
東理大理
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垣見 篤志
東京理科大学理学部応用物理学科
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岡村 総一郎
東京理科大学理学部
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垣見 篤志
東京理科大学理学部応用物理学科:(現)三菱ガス化学(株)
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柴田 肇
電総研
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小林 直人
電総研
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塚本 桓世
東理大理
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塚本 桓世
SPring-8
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土谷 敏雄
東理大・基礎工
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小原 明
電総研
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橋爪 洋一郎
東理大理
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和泉 富雄
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東理大理
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牧田 雄之助
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桜木 史朗
ユニオンマテリアル(株)
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東海大学総合科学技術研究所
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藤橋 岳
東京理科大学理学部応用物理学科
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山口東京理科大学基礎工学部電子基礎工学科
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吉村 国昭
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鈴木 増雄
理研
著作論文
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- ゾル-ゲル法によるBa_2NaNb_5O_薄膜の作製
- ナフテン酸金属塩の塗布熱分解による強誘電体Pb(Zr, Ti)O_3薄膜の作製と電気的性質
- Bi(o-C_7H_7)_3及びTi(i-OC_3H_7)_2(DPM)_2を用いたMOCVD法によるc軸配向Bi_4Ti_3O_薄膜の形成
- 26pKG-9 複数のオーダーパラメータを持つ系の秩序化過程(反応拡散系・振動子系2・その他の系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))