ゾル-ゲル法によるBa_2NaNb_5O_<15>薄膜の作製
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概要
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Ba_2NaNb_5O_<15> thin films were prepared on Pt and quartz substrates by the sol-gel method using Ba (CH_3COO)_2, NaNO_3 and Nb (O-n-Bu)_5. Very smooth surface films with a single phase of Ba_2NaNb_5O_<15> were obtained by heat treatment at 800℃ for 1 h. The remanent polarization and coercive field estimated from the ferroelectric hysteresis loop were 3.5 μC/cm^2 and 21.6 kV/cm, respectively. The dielectric constant and tan δ at room temperature were 176 and 0.03, respectively. The thin films on quartz substrates were optically transparent in the visible to ultraviolet region. It is expected that Ba_2NaNb_5O_<15> thin films will be applied to ferroelectric memories and optoelectronic devices.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1997-05-01
著者
-
土谷 敏雄
東理大・基礎工
-
塚本 桓世
東京理科大学理学部応用物理学科
-
土谷 敏雄
東京理大 基礎工
-
土谷 敏雄
東京理科大学基礎工学部
-
塚元 桓世
東京理科大学理学部応用物理学科
-
安藤 靜敏
東理大理
-
岡村 総一郎
東理大理
-
藤橋 岳
東京理科大学理学部応用物理学科
-
垣見 篤志
東京理科大学理学部応用物理学科
-
安藤 靜敏
東京理科大学理学部応用物理学科
-
岡村 総一郎
山口東京理科大学基礎工学部電子基礎工学科
-
安藤 靜敏
東京理科大学工学部
-
垣見 篤志
東京理科大学理学部応用物理学科:(現)三菱ガス化学(株)
-
土谷 敏雄
東京理科大学基礎工学部材料工学科
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