1A10 ゾル・ゲル法によるゲルマン酸鉛薄膜の作製と物性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 日本セラミックス協会の論文
- 1992-05-20
著者
-
加藤 英治
東京理科大学基礎工学部材料工学科
-
土谷 敏雄
東理大基礎工
-
幡野 純
東理大基礎工
-
土谷 敏雄
東京理大 基礎工
-
清 忠師
東理大基礎工
-
加藤 英治
東理大基礎工
-
袴田 洋代
東理大基礎工
関連論文
- アルカリ金属酸化物を含むホウリン酸塩ガラスの電気的性質と内部摩擦
- 10MnO-30Fe_2O_3-60P_2O_5半導性ガラスの低温メスバウアー分光(II)
- 29a-PS-54 10MnO-30Fe_2O_3-60P_2O_5半導性ガラスの低温メスバウアー分光
- V_2O_5 結晶と 70V_2O_5・30P_2O_5 結晶化ガラスの誘電特性
- V_2O_5-B_2O_3-P_2O_5 ガラスの異常に大きな誘電緩和スペクトル
- バナジウムホウリン酸塩ガラスの電気的性質
- ゾル・ゲル法による次世代メモリー用強誘電体エピタキシャル積層膜の作製 (特集 21世紀に開花するニューマテリアルとそのテクノロジーへの招待--東京理科大学における先端材料研究)
- ディップコーティング法によるエレクトロクロミックλ-MnO_2薄膜の作製と物性
- 2A09 ゾル・ゲル法によるアパタイト構造を有する Ln_x(SiO_4)_6O_(Ln : Nd, La) 系酸素イオン伝導体の作製と電気特性評価
- 1E06 ゾル・ゲル法により作製したビスマス層状構造強誘電体 Bi_2WO_6 エピタキシャル薄膜の電気特性
- 2I03 ゾル・ゲル法により作製したエピタキシャル SrRuO_3 薄膜の評価
- 1K18 フェムト秒レーザー光が誘起するリン酸カルシウムガラスの感光特性
- 1K15 TiO_2 単結晶のフェムト秒パルス光に対する非線形光学特性
- 2H01 ゾル・ゲル法により作製した有機-無機イオン伝導体の構造解析
- 2F02 Z-scan 法による酸化物ガラス中の 3 光子吸収の観測と評価
- 2A11 ゾル・ゲル法による SOFC 用カソード材薄膜の作製と評価
- 1D04 ゾル・ゲル法によるエピタキシャル Bi_2WO_6 薄膜の作製と評価
- ゾル-ゲル法によるエレクトロクロミック酸化タングステン薄膜の作製
- 2J23 ゾル-ゲル法による有機-無機ハイブリッド固体電解質の作製と電気特性 (II)
- 2J06 ゾル・ゲル法による強誘電体 Sr_Ba_Nb_2O_6(SBN30) エピタキシャル薄膜の作製
- 2J05 ゾル・ゲル法による Ba_2Ti_9O_ 系マイクロ波誘電体の作製及び物性評価
- 24pZC-4 強誘電性液晶の圧力下での誘電特性
- タングステンブロンズを含む高導電性ガラスセラミックス膜の作製と電気的性質
- 3C13 ゾル・ゲル法により作製した SiO_2 系薄膜の膜および界面状態の評価
- 3C12 ゾル・ゲル法による ZnO 薄膜の作製と物性
- 1B02 ゾルゲル法による窒化アルミニウムの作製
- 1A10 ゾル・ゲル法によるゲルマン酸鉛薄膜の作製と物性
- 3B37 ディップコーティング法による磁気光学ガーネット型フェライト薄膜の作製と物性 (II)
- 2C13 ゾル・ゲル法による PbTiO_3 薄膜の作製と物性
- タングステンブロンズを含むガラスセラミックスの作製と電気的性質
- ゾル-ゲル法によるBa_2NaNb_5O_薄膜の作製
- ゾル・ゲル法による高配向したチタン酸ビスマス薄膜の作製
- 20aRF-5 変調ドープGaAs量子構造の磁場中における近接場分光
- 20aRF-5 変調ドープGaAs量子構造の磁場中における近接場分光
- 28p-ZE-1 近接場光学顕微鏡像に対するプローブ内電場分布の影響II
- 27a-YE-9 近接場光学顕微鏡像に対するプローブチップ内電場分布の影響
- 30a-YH-3 近接場光学顕微鏡によるファイバー端面上の薄膜の観測
- 5p-J-7 光ファイバー端面に蒸着された薄膜の近接場光学顕微鏡による観測
- 変調構造を有するBi-2222超伝導体の高分解能電子顕微鏡観察
- 高分解能電顕法及びEELSによる超伝導相及び非超伝導相(Cu,Cr)-1212の構造解析
- ゲルマン酸鉛Pb_5Ge_3O_11の準安定相の構造
- 水熱合成法によるPZT/PSZT多層膜の作製
- 水熱合成法によるBa(Ti_Zr_x)O_3薄膜の作製と電気特性
- 青少年への科学教育は -「今」
- 大学改革と工業教育
- ゾル・ゲル法から磁気, 光磁気効果を示す薄膜の作製と物性
- ゾル・ゲル法より電気・磁気・光機能性薄膜の作製とその評価
- 電子シャワー法によるAIN薄膜の作製
- ゾル・ゲル法から機能性セラミックス薄膜の作製と評価
- Au 微粒子分散SrTiO_3薄膜の作製とその光学特性
- Bi, AlをドープしたYIGの磁気光学効果を示す高配向した薄膜の作製
- Au 微粒子分散 BaTiO_3 薄膜の作製とその光学特性
- ゾル・ゲル法によるコージェライトセラミックスの合成と物性
- ゾル・ゲル法から作製したSiO_2系薄膜の膜・基板界面付近におけるイオンの分布及び化学的状態
- ゾル・ゲル法によるPZT膜の作製と物性
- CuCl-CuI-P_2O_5系ガラスの電気的性質
- ディップコーティング法からの透明導電性Sn0_2・Sb_2O_5薄膜の作製と電気的性質
- ゾル・ゲル法によるチタン酸バリウム膜の作製と誘電的性質 : 合成・キャラクタリーゼーション
- Li_2O-Fe_2O_3一Bi_2O_3系アモルファスフェライトの合成と物性
- 1J25 分極処理した部分安定化ジルコニアの生体外評価
- 1B14 反強誘電性液晶及び強誘電性液晶のSmC^*相におけるバイアス下での誘電特性
- 3p-R-7 液晶の強誘電(SmAーSmC^*)相転移における密度と層間隔の関係
- 3C07 フェリ誘電相で観測される特徴的な誘電現象
- 2C05 反強誘電性液晶における密度異常と層間隔
- 25a-ZC-1 反強誘電液晶における電場誘起相転移の電場印加速度依存性
- 4B419 反強誘電性液晶のSub-Phaseにおける電場誘起相転移
- バイオガラスのガラス組成, ビッカース硬度と化学的耐久性の検討 : バイオガラスに関する基礎的研究, 第1報
- 31a-TF-6 2光束干渉法による氷結晶の成長機構の研究I
- ゾルゲル法によるAl_2-SiO_2系ガラスの合成と熱膨張(合成)(ガラス・アモルファス材料及びその材料科学の進展)
- MnO-P_2O_5 系ガラスの結晶化機構
- Na_2O-Fe_2O_3-NiO-B_O_3-P2O_5 系ガラスセラミックスの磁気的、電気的性質
- V_2O_5-TiO_2-P_2O_5 ガラスの異常誘電緩和スペクトル
- 5a-M-11 延伸高分子の核磁気共鳴吸收
- 延伸された高分子の核磁気共鳴吸収(高分子)
- Na_2O-B_2O_3 ガラスのホウ酸異常と Ag_2O-B_2O_3 ガラスの性質 : 銀含有ガラスの電気的性質, 第2報
- 銀含有ガラスの電気的性質 : (1)銀燐酸塩ガラス
- Li_2O, K_2OおよびFe_2O_3を含む燐酸塩ガラスの電気的性質
- 活性化エネルギーの幅広い分布を持つガラスの電気伝導に関する理論的考察
- MnO, Fe_2O_3を含む燐酸塩ガラスの電子伝導と誘電緩和 : 還元および熱処理効果
- Na_2O, MnOを含む燐酸塩ガラスの電気伝導と誘電緩和
- 23aX-3 極性メロシアニン色素薄膜の超低周波数分散
- ディップコーティング法によるマグネトプランバイト型フェライト薄膜の作製と磁気的性質
- 2B520 メソゲン末端にキラル成分を有する側鎖型液晶高分子の合成と強誘電性
- 27p-M-9 強誘電的履歴曲線の補正II
- 3F302 強誘電性液晶におけるD-Eヒステリシス曲線の補正
- 導電性バナジウムブロンズセラミックスの作製と電気的性質(酸化物系導電セラミックス)(導電性セラミックス)
- ゾルゲル法からのLi_Ti_O_4薄膜の作製と電気的性質(酸化物系導電セラミックス)(導電性セラミックス)
- タイトル無し
- タイトル無し
- 24aYB-1 圧力下における液晶の自発分極(24aYB 液晶・ゲル,領域12(高分子・液晶,化学物理,生物物理分野))