ゾル-ゲル法によるエレクトロクロミック酸化タングステン薄膜の作製
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概要
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A new method is shown for lower temperature preparation of tungsten oxide thin film by sol-gel process without using a catalyst, but using tungsten chloride(WCl_6)as the starting material and ethanol as a solvent. When WCl_6 dissolved in ethanol, tungsten ions and ethanol formed tungsten ethoxides. Thin films prepared from the solution above 300℃ did not contain organics or chloride. Tungsten oxide(WO_3)crystallized at temperatures above 350℃. The electrical and optical properties of the thin films were measured. Amorphous thin films showed electrochromism, but polycrystalline thin films did not. The relative transmittance of the amorphous thin films decreased to 45% on application of 3 V for 1 s.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1999-03-01
著者
-
土谷 敏雄
東理大・基礎工
-
土谷 敏雄
東京理科大学理工学部工業化学科
-
西尾 圭史
東京理科大学基礎工学部
-
清 忠師
東京理科大学基礎工学部材料工学科
-
土谷 敏雄
東京理大 基礎工
-
土谷 敏雄
東京理科大学基礎工学部
-
清 忠師
愛知学院大学教養部
-
土谷 敏雄
東京理科大学基礎工学部材料工学科
-
Sei Tadanori
Faculty Of Industrial Science And Technology Science University Of Tokyo
-
Sei Tadanori
Division Of General Education Aichi Gakuin University
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