水熱合成法によるPZT/PSZT多層膜の作製
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
A polycrystalline Pb ((Zr, Ti) O_3/ (Pb,Sr) ((Zr, Ti) O_3 (PZT/PSZT) multilayer films have been synthesized on a titanium substrate by hydrothermal method in order to increase the density. This method consisted of two steps of hydrothermal reaction. The first step was the fabrication of a PSZT layer on the titanium substrate at 160℃ for 12 h. The second step was the fabrication of PZT layer on the PSZT layer at 130℃ for 4 h. The density, the breakdown electric field and young's modulus of the PZT/PSZT multilayer were 7.2 g・cm^<-3>, 6.7 V・μm^<-1> and 7.1 × 10^<10> N・m^<-2>, respectively. These values were larger than those of PZT/PZT multilayer.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 2002-08-01
著者
-
土谷 敏雄
東理大・基礎工
-
河野 孝史
宇部興産(株)研究開発本部宇部研究所無機材料研究部
-
土谷 敏雄
東京理大 基礎工
-
土谷 敏雄
東京理科大学基礎工学部
-
橋本 和生
宇部興産(株)研究開発本部宇部研究所無機材料研究部
-
橋本 智仙
宇部興産(株)研究開発本部宇部研究所無機材料研究部
-
土江 隆則
宇部興産(株)研究開発本部宇部研究所無機材料研究部
-
山永 正孝
宇部興産(株)研究開発本部宇部研究所無機材料研究部
-
西田 明生
宇部興産(株)研究開発本部宇部研究所無機材料研究部
-
西田 明夫
宇部興産(株)研究開発本部宇部研究所無機材料研究部
-
西田 明生
宇部興産(株)宇部研究所
-
土谷 敏雄
東京理科大学基礎工学部材料工学科
-
西田 明生
宇部興産(株)
関連論文
- アルカリ金属酸化物を含むホウリン酸塩ガラスの電気的性質と内部摩擦
- 10MnO-30Fe_2O_3-60P_2O_5半導性ガラスの低温メスバウアー分光(II)
- 29a-PS-54 10MnO-30Fe_2O_3-60P_2O_5半導性ガラスの低温メスバウアー分光
- V_2O_5 結晶と 70V_2O_5・30P_2O_5 結晶化ガラスの誘電特性
- V_2O_5-B_2O_3-P_2O_5 ガラスの異常に大きな誘電緩和スペクトル
- バナジウムホウリン酸塩ガラスの電気的性質
- ゾル・ゲル法による次世代メモリー用強誘電体エピタキシャル積層膜の作製 (特集 21世紀に開花するニューマテリアルとそのテクノロジーへの招待--東京理科大学における先端材料研究)
- ディップコーティング法によるエレクトロクロミックλ-MnO_2薄膜の作製と物性
- 2A09 ゾル・ゲル法によるアパタイト構造を有する Ln_x(SiO_4)_6O_(Ln : Nd, La) 系酸素イオン伝導体の作製と電気特性評価
- 1E06 ゾル・ゲル法により作製したビスマス層状構造強誘電体 Bi_2WO_6 エピタキシャル薄膜の電気特性
- 2I03 ゾル・ゲル法により作製したエピタキシャル SrRuO_3 薄膜の評価
- 1K18 フェムト秒レーザー光が誘起するリン酸カルシウムガラスの感光特性
- 1K15 TiO_2 単結晶のフェムト秒パルス光に対する非線形光学特性
- 2H01 ゾル・ゲル法により作製した有機-無機イオン伝導体の構造解析
- 2F02 Z-scan 法による酸化物ガラス中の 3 光子吸収の観測と評価
- 2A11 ゾル・ゲル法による SOFC 用カソード材薄膜の作製と評価
- 1D04 ゾル・ゲル法によるエピタキシャル Bi_2WO_6 薄膜の作製と評価
- ゾル-ゲル法によるエレクトロクロミック酸化タングステン薄膜の作製
- 2J23 ゾル-ゲル法による有機-無機ハイブリッド固体電解質の作製と電気特性 (II)
- 2J06 ゾル・ゲル法による強誘電体 Sr_Ba_Nb_2O_6(SBN30) エピタキシャル薄膜の作製
- 2J05 ゾル・ゲル法による Ba_2Ti_9O_ 系マイクロ波誘電体の作製及び物性評価
- タングステンブロンズを含む高導電性ガラスセラミックス膜の作製と電気的性質
- 621 Chitosan-Silica, Chitosan-Hap複合材料の調整と組織培養による生体適合性
- 3C13 ゾル・ゲル法により作製した SiO_2 系薄膜の膜および界面状態の評価
- 3C12 ゾル・ゲル法による ZnO 薄膜の作製と物性
- 1B02 ゾルゲル法による窒化アルミニウムの作製
- 1A10 ゾル・ゲル法によるゲルマン酸鉛薄膜の作製と物性
- 3B37 ディップコーティング法による磁気光学ガーネット型フェライト薄膜の作製と物性 (II)
- 2C13 ゾル・ゲル法による PbTiO_3 薄膜の作製と物性
- タングステンブロンズを含むガラスセラミックスの作製と電気的性質
- 1H09 イオン交換アパタイトの分極効果と生体親和性
- ゾル-ゲル法によるBa_2NaNb_5O_薄膜の作製
- ゾル・ゲル法による高配向したチタン酸ビスマス薄膜の作製
- 配向性透明酸化亜鉛の二光子吸収係数の測定
- 水熱合成法によるPZT/PSZT多層膜の作製
- 水熱合成法によるBa(Ti_Zr_x)O_3薄膜の作製と電気特性
- 青少年への科学教育は -「今」
- 大学改革と工業教育
- ゾル・ゲル法から磁気, 光磁気効果を示す薄膜の作製と物性
- ゾル・ゲル法より電気・磁気・光機能性薄膜の作製とその評価
- 電子シャワー法によるAIN薄膜の作製
- ゾル・ゲル法から機能性セラミックス薄膜の作製と評価
- Au 微粒子分散SrTiO_3薄膜の作製とその光学特性
- Bi, AlをドープしたYIGの磁気光学効果を示す高配向した薄膜の作製
- Au 微粒子分散 BaTiO_3 薄膜の作製とその光学特性
- ゾル・ゲル法によるコージェライトセラミックスの合成と物性
- ゾル・ゲル法から作製したSiO_2系薄膜の膜・基板界面付近におけるイオンの分布及び化学的状態
- ゾル・ゲル法によるPZT膜の作製と物性
- CuCl-CuI-P_2O_5系ガラスの電気的性質
- ディップコーティング法からの透明導電性Sn0_2・Sb_2O_5薄膜の作製と電気的性質
- ゾル・ゲル法によるチタン酸バリウム膜の作製と誘電的性質 : 合成・キャラクタリーゼーション
- Li_2O-Fe_2O_3一Bi_2O_3系アモルファスフェライトの合成と物性
- 気相法によるマグネシア粉末の合成とその性質(粉体小特集)
- バイオガラスのガラス組成, ビッカース硬度と化学的耐久性の検討 : バイオガラスに関する基礎的研究, 第1報
- MgO質燒結体の曲げ強度に及ぼす粒子径と表面粗さの影響
- MgO質焼結体の曲げ強度に及ぼす粒子径と人口欠陥寸法の影響
- MgO-ZrO_2焼結体の性質に及ぼす熱処理の影響
- 3H17 MgO 焼結体の微構造と機械的性質に及ぼす Y_2O_3 添加の効果
- MgO-ZrO_2焼結体の機械的強度に及ぼす粒径の影響
- ゾルゲル法によるAl_2-SiO_2系ガラスの合成と熱膨張(合成)(ガラス・アモルファス材料及びその材料科学の進展)
- MnO-P_2O_5 系ガラスの結晶化機構
- Na_2O-Fe_2O_3-NiO-B_O_3-P2O_5 系ガラスセラミックスの磁気的、電気的性質
- V_2O_5-TiO_2-P_2O_5 ガラスの異常誘電緩和スペクトル
- 5a-M-11 延伸高分子の核磁気共鳴吸收
- 延伸された高分子の核磁気共鳴吸収(高分子)
- 10)Baフェライト微粒子の磁気特性(録画研究会(第72回))
- Baフェライト微粒子の磁気特性
- Na_2O-B_2O_3 ガラスのホウ酸異常と Ag_2O-B_2O_3 ガラスの性質 : 銀含有ガラスの電気的性質, 第2報
- 銀含有ガラスの電気的性質 : (1)銀燐酸塩ガラス
- Li_2O, K_2OおよびFe_2O_3を含む燐酸塩ガラスの電気的性質
- 活性化エネルギーの幅広い分布を持つガラスの電気伝導に関する理論的考察
- MnO, Fe_2O_3を含む燐酸塩ガラスの電子伝導と誘電緩和 : 還元および熱処理効果
- Na_2O, MnOを含む燐酸塩ガラスの電気伝導と誘電緩和
- 真珠岩の発泡性に及ぼす加熱雰囲気の影響
- 高純度マグネシア焼結体の機械的性質に及ぼす粒子径の影響
- 気相法マグネシア粉末の焼結性
- Na_2O, Fe_2O_3を含む燐酸塩ガラスの電気伝導と誘電緩和
- Fe_2O_3,MnOを含む燐酸塩ガラスの電子伝導と誘電緩和
- ディップコーティング法によるマグネトプランバイト型フェライト薄膜の作製と磁気的性質
- 導電性バナジウムブロンズセラミックスの作製と電気的性質(酸化物系導電セラミックス)(導電性セラミックス)
- ゾルゲル法からのLi_Ti_O_4薄膜の作製と電気的性質(酸化物系導電セラミックス)(導電性セラミックス)
- 気相法高純度超微粉単結晶マグネシア及び高純度マグネシア焼結体