ゾル・ゲル法による高配向したチタン酸ビスマス薄膜の作製
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概要
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In the present study, an attempt is made to prepare a highly c-axis oriented thin film with the composition of Bi_4Ti_3O_<12> (BIT). Bismuth nitrate and titanium tetrabutoxide were used as raw materials. Acetylacetone and ethylene glycol were used as the solvents. The thin film was a single phase of BIT completely oriented along the c-axis on Pt substrate with good ferroelectric properties at room temperature: coercive field of 25 kV/cm, remanent polarization of 2.5 μC/cm^2, dielectric constant of 130. The key technique to highly c-axis oriented thin films was heat treatment of sol prepared by optimum combination of raw materials and solvents.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1996-11-01
著者
-
渡辺 裕一
東京理科大学基礎工学部材料工学科
-
加藤 英治
東京理科大学基礎工学部材料工学科
-
塚本 桓世
東京理科大学理学部応用物理学科
-
塚本 桓世
東京理科大学大学院理学研究科
-
土谷 敏雄
東京理科大学基礎工学部
-
土谷 敏雄
東理大
-
塚元 桓世
東京理科大学理学部応用物理学科
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