Bi(o-C_7H_7)_3及びTi(i-OC_3H_7)_2(DPM)_2を用いたMOCVD法によるc軸配向Bi_4Ti_3O_<12>薄膜の形成
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概要
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Bi_4Ti_3O_<12> thin films were prepared by MOCVD method using triorthotolyl bismuth, Bi(o-C_7H_7)_3, and di isopropo, xy bis (di-pivaloyhnetanato) titanium, Ti (i-OC_3H_7)_ 2 (DPM)_2, as the metalorganic sources. Thin finns obtained were characterized by XRD analysis and SEM observation. Bi_4Ti_3O_<12> thin films with high c axis orientation and most of single phase were deposited on Pt/Ti/Si0_2/Si and Pt substrates above 500℃ in air. Use of newly developed Bi (o-C_7H_7)_3 and Ti (i- OC_3H_7)_2 (DPM)_2 instead of normally used Bi(C_6H_5)_3 and Ti(iOC_3H_7)_4 was advantageous in fabricating Bi_4Ti_3O_<12> thin films with c axis orientation at lower temperatures.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1994-05-01
著者
-
岡村 総一郎
東京理科大学理学部応用物理学科
-
塚本 桓世
東京理科大学理学部応用物理学科
-
塚本 桓世
東京理科大学大学院理学研究科
-
塚元 桓世
東京理科大学理学部応用物理学科
-
岡村 総一郎
東理大理
-
吉村 国昭
東京理科大学理学部応用物理学科
-
岡村 総一郎
東京理科大学理学部
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