強誘電体ヒステリシス特性モデルの開発とその応用
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概要
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強誘電体メモリの動作をシミュレーションするために, 強誘電体のヒステリシス特性や分極反転時の電荷電流特性を簡単にモデル化することが望まれている. 筆者らは強誘電体の自発分極の反転を伴う項と自発分極の反転を伴わない項をそれぞれの飽和現象として表現することにより強誘電体コンデンサのヒステリシス特性モデルを単純化できるものとして検討してみた. 本論文では, この新しいモデルの概要を報告すると同時に, 本モデルを利用して1Tr1C型の強誘電体メモリのビットライン電位を解析した結果について報告している.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-07-25
著者
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