強誘電体過渡応答特性モデルの開発とその応用
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概要
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強誘電体メモリの動作をシミュレーションするために, 強誘電体のヒステリシス特性や分極反転時の電荷電流過渡特性を簡単にモデル化することが望まれている.筆者らは強誘電体のヒステリシス特性を, E_c[V], Q_rmax[C], Q_pmax[C], K_r[1/V], K_p[1/V]の五つの特性定数で表現できるモデルを提案した[1].今回, 強誘電体の動的容量:dfQ_d/dv_in[F]を動的時定数として時間系へ展開することにより過渡応答をシミュレートできるモデルを開発した.強誘電体の特性定数や電圧印加条件により, 応答特性が大きく変化することを定量的に示すことができた.更に, 本動的時定数モデルを強誘電体メモリ動作の速度性能評価条件での過渡応答解析に適用し, 定量解析を行った結果を報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-02-25
著者
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