強誘電体コンデンサのインプリント特性モデルの開発とその不具合評価方法
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概要
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強誘電体不揮発性メモリの開発において強誘電体のヒステリシス特性曲線ひずみ(imprint)として観測される特性劣化による反転情報記録時の記録保持不具合が問題となっている。以前, 筆者らは強誘電体のヒステリシス特性を五つの特定定数で表現するモデルを提案した.今回, 強誘電体のヒステリシス特性曲線ひずみ(imprint)を内部電界による印加電圧の移動としてモデル化できることを示した.本論文では, このモデルを使って2Tr2C型の強誘電体メモリのピットラインに現れる電位を検討し, 不具合発生機構を示すと同時に強誘電体のヒステリシス特性曲線ひずみの原因となる内部電荷移動量との関連性を検討した結果を報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-11-25