(100)YSZ/(100)Si基板構造上にスパッタ法により形成したヘテロエピタキシャル(100)Ir及び(001)PZT薄膜の膜質特性

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概要

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• エピタキシャル(100)YSZ/Si基板構造上にスパッタ法によりIr及びPZT薄膜のエピタキシャル成長を行い、それらの膜の結晶性及び電気的特性を評価した。Ir薄膜は、堆積速度が遅いと(100)面に、速いと(111)面に配向して、エピタキシャル成長した。(100)及び(111)主配向Ir膜上に堆積したPZT薄膜は、それぞれ基板温度600及び650℃以上でエピタキシャル成長するが、基板温度が高くなるに従い、Ir薄膜とPZT薄膜の界面で構成元素の反応や相互拡散が生じた。また、PZT薄膜の膜質は、Ir薄膜が(100)主配向になるに従い良くなり、基板温度600℃でエピタキシャル成長した(001)PZT薄膜は、3V振幅の正弦波電圧で十分に飽和した角形のP-Eヒステレシス特性を示し、その2Prは80μC/cm^2と良好であった。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1999-02-16

著者

• 堀田 将

  北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科

• 堀田 將

  北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科

• 堀井 貞義

  北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科

• Hayashi Shigenori

  Semiconductor Equipment System Laboratory Hitachi Kokusai Electric Inc.

• 堀井 將

  北陸先端科学技術大学院大学 材料科学研究科

• 堀井 貞義

  北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科:(株)日立国際電気

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