高コヒーレント直線偏光パルスレーザービームによる結晶化Si薄膜の粒界位置制御
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概要
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高コヒーレントな直線偏光パルスNd:YAGレーザーにより、パイレックス基板上に堆積した非晶質Siの溶融結晶化を行った。その結果、結晶化Si膜の結晶粒界位置をレーザーの波長程度の周期で制御することができた。この周期的粒界の方向は、ビームの電界ベクトルに垂直であり、その幅はP波入射時において入射角に依存することがわかった。また、λ/4板に透過させて円偏光にしたビームを用いると、粒界はランダムに発生した。このことより、ビームの直線偏光度が、粒界を周期的にそろえる、つまり周期的温度分布を発生させるのに、重要な因子であることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-10-20
著者
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堀田 将
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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堀田 將
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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中田 靖則
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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Hayashi Shigenori
Semiconductor Equipment System Laboratory Hitachi Kokusai Electric Inc.
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堀井 將
北陸先端科学技術大学院大学 材料科学研究科
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